На основе расчетов в приближении кристаллического кластера проанализированы электронная структура и распределение электронной плотности в основном состоянии MgO, CaO, SrO и NaF. Показано, что в отличие от NaF в оксидах вершина валентной зоны формируется состояниями с положительной энергией относительно "muffin-tin"-нуля, которые частично связываются на анионах потенциальным барьером, возникающим в эффективном потенциале. Резонансное рассеяние электронов на этих состояниях приводит к появлению избыточного заряда в междоузельной области оксидов. Одновременно частично разряжаются анионы, и их зарядовое состояние приближается к O^-.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.