Исследовано влияние упругой анизотропии кристаллов кубической симметрии на рост пор под облучением. С учетом упругого взаимодействия вакансий и межузельных атомов со сферической порой получены выражения для их стационарных концентраций, а также скорости диффузионного роста поры. Показано, что в кристаллах с отрицательным параметром анизотропии образование поры предпочтительно по отношению к межузельным атомам, а в кристаллах с положительным параметром - по отношению к вакансиям. Проведено качественное сравнение результатов с экспериментальными данными, позволяющее заключить, что для ряда металлов и сплавов наблюдается корреляция склонности к образованию пор под облучением со значением параметра упругой анизотропии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.