Проведено экспериментальное изучение временных зависимостей полосы излучения свободных экситонов в чистых и содержащих 0.5 ат.% Zn и 0.2 ат.% Тl кристаллах слоистого полупроводника varepsilon-GaSe при различных плотностях возбуждения. Определены времена образования и диссоциации свободных экситонов, равные для чистых кристаллов, взятых из различных партий роста, 50-120 и 450-600 пс соответственно. Показано, что при высоких плотностях излучения (n>10¹⁶ см^-3) время спада полос излучения легированных кристаллов определяется двухкомпонентной зависимостью. Время спада качественно объясняется образованием экситонных молекул.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.