В однозонной модели диагонального беспорядка для бинарного сплава замещения получено общее решение задачи теории многократного рассеяния на случайном локализованном потенциале. Конфигурационно усредненная < T>-матрица рассеяния представляется разложением кластерного типа. Исследуется влияние ближнего упорядочения на электронный спектр, теплоемкость и остаточное электросопротивление при учете многократного рассеяния на двухчастичном кластере (на парах атомов) для когерентного потенциала, удовлетворяющего условию одноузельного приближения. Выражения для плотности электронных состояний и электропроводности (с учетом рассеяния на парах) представлены в аналитическом виде.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.