Исследовано влияние мощных лазерных импульсов пикосекундной длительности на поглощение слабого света в магнитном полупроводнике CdCr₂Se₄ при 300 K. Получено, что интенсивное освещение обусловливает увеличение поглощения света в CdCr₂Se₄ (затемнение"). Релаксация затемнения существенно зависит от энергии кванта зондирующего света hnu₃. При hnu₃ < 1.3 эВ спад индуцированного поглощения происходит с двумя временами релаксации tau₁~ 60 и tau₂ ~ 600 пс. Увеличение поглощения света с энергией кванта hnu₃ > 1.3 эВ остается практически постоянным в исследуемом интервале времени ~1000 пс. Результаты объясняются уменьшением ширины запрещенной зоны и CdCr₂Se₄ из-за взаимодействия между неравновесными электронами и дырками.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.