Вышедшие номера
Свойства наноструктур Al2O3 : nc-Si, сформированных путем ионной имплантации кремния в сапфир и аморфные пленки оксида алюминия
Тетельбаум Д.И.1, Михайлов А.Н.1, Белов А.И.1, Ершов А.В.1, Питиримова Е.А.1, Планкина С.М.1, Смирнов В.Н.1, Ковалев А.И.2, Turan R.3, Yerci S.3, Finstad T.G.4, Foss S.4
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-техническое внедренческое предприятие "Поверхность", Центральный научно-исследовательский институт черной металлургии им. И.П. Бардина, Москва, Россия
3Middle East Technical University, Ankara, Turkey
4University of Oslo, Blindern, Norway
Email: tetelbaum@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 6 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 20 января 2009 г.

Методами фотолюминесценции, инфракрасной Фурье-спектроскопии, рамановского рассеяния, просвечивающей электронной микроскопии и дифракции электронов исследованы люминесцентные, оптические и структурные свойства слоев оксида алюминия (сапфира и нанесенных на кремний пленок Al2O3), подвергнутых ионной имплантации Si+ с целью создания нанокристаллов кремния. Установлено, что при высокотемпературном отжиге имплантированных большими дозами образцов в обоих случаях формируются нанокристаллы кремния, однако их люминесцентные свойства существенным образом зависят от типа исходной матрицы - в пленках Al2O3 нанокристаллы излучают в типичной для квантовых точек Si области (700-850 nm), а в сапфире такая фотолюминесценция отсутствует. Выявленное различие интерпретируется как следствие локальных механических напряжений, возникающих в системе нанокристалл/сапфир и приводящих к разрыву химических связей на границе этих фаз, тогда как в пленках Al2O3 механические напряжения релаксируют. Работа частично выполнена в рамках проектов FP6 SEMINANO (контракт NMP4-CT-2004-505285), Минобрнауки РФ (РНП 2.1.1.4022, 2.2.2.2.4737, 2.2.2.3.10002), CRDF (BRHE REC-001, Y4-P-01-05), РФФИ (05-02-16762) и поддержана грантом Президента РФ (МК-3877.2007.2). PACS: 78.55.Qr, 61.82.Rx, 68.55.Ln, 85.40.Ry, 78.55.Ap, 78.55.Qr, 78.30.Am, 68.37.Lp
  1. P. Bettotti, M. Cazzanelli, L. Dal Negro, B. Danese, Z. Gaburro, C.J. Oton, G. Vijaya Prakash, L. Pavesi. J. Phys.: Cond. Matter 14 8253 (2002)
  2. L. Pavesi. Materials Today 1, 18 (2005)
  3. T. Shimizu-Iwayama, S. Nakao, K. Saitoh. Appl. Phys. Lett. 65, 1814 (1994).
  4. B. Garrido, M. Lopez, A. Perez-Rodriguez, C. Garcia, P. Pellegrino, R. Ferre, J.A. Moreno, J.R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, A. Claverie, J. de la Torre, A. Souifi. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 216, 213 (2004)
  5. D.I. Tetelbaum, A.N. Mikhaylov, O.N. Gorshkov, A.P. Kasatkin, A.I. Belov, D.M. Gaponova, S.V. Morozov. Vacuum 78, 519 (2005)
  6. G.D. Wilk, R.M. Wallace, J.M. Anthony. J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001)
  7. C.J. Park, Y.H. Kwon, Y.H. Lee, T.W. Kang, H.Y. Cho, S. Kim, S.-H. Choi, R.G. Elliman. Appl. Phys. Lett. 84, 2667 (2004)
  8. D.I. Tetelbaum, O.N. Gorshkov, A.V. Ershov, A.P. Kasatkin, V.A. Kamin, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, D.M. Gaponova, L. Pavesi, L. Ferraioli, T.G. Finstad, S. Foss. Thin Solid Films 515, 333 (2006)
  9. C.W. White, J.D. Budai, S.P. Withrow, S.J. Pennycook, D.M. Hembree, D.S. Zhou, T. Vo-Dinh, R.H. Magruder. MRS Symp. Proc. 316, 487 (1994)
  10. S. Yanagiya, M. Ishida. J. Electron. Mat. 28, 496 (1999)
  11. S. Yerci, U. Serincan, I. Dogan, S. Tokay, M. Genisel, A. Aydinli, R. Turan. J. Appl. Phys. 100, 074 301 (2006)
  12. Y. Zhu, P.P. Ong. Surf. Rew. Lett. 8, 559 (2001)
  13. P.P. Ong, Y. Zhu. Phys. E 15, 118 (2002)
  14. Q. Wan, C.L. Lin, W.L. Liu, T.H. Wang. Appl. Phys. Lett. 82, 4708 (2003)
  15. L. Bi, J.Y. Feng. J. Lumin. 121, 95 (2006)
  16. J.F. Ziegler. J. Appl. Phys. 85, 1249 (1999)
  17. B.D. Evans, G.J. Pogatshnik, Y. Chen. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 91, 258 (1994)
  18. В.Л. Инденбом. Письма ЖТФ 5, 489 (1979)
  19. Г.А. Качурин, А.Ф. Лейер, К.С. Журавлев, И.Е. Тысченко, А.К. Гутаковский, В.А. Володин, В. Скорупа, Р.А. Янков. ФТП 32, 1371 (1998)
  20. L.X. Yi, J. Heitmann, R. Scholz, M. Zacharias. Appl. Phys. Lett. 81, 661 (2002)
  21. P. Mutti, G. Ghislotti, S. Bertoni, L. Bonoldy, G.F. Cerofolini, L. Meda, E. Grilli, M. Guzzi. Appl. Phys. Lett. 66, 851 (1995)
  22. Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, В.А. Володин, Д.В. Марин, M. Deutshmann. ФТП 42, 181 (2008)
  23. Д.И. Тетельбаум, О.Н. Горшков, А.П. Касаткин, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, Д.М. Гапонова, С.В. Морозов. ФТТ 47, 17 (2005)
  24. Y.Q. Wang, R. Smirani, G.G. Ross. Nano Lett. 4, 203 (2004)
  25. В.А. Бурдов. ФТП 36, 1233 (2002)
  26. Л.И. Миркин. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов. Изд-во физ.-мат. лит-ры, М. (1961). 863 с
  27. Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлиховой. Энергоатомиздат, М. (1991). 1232 с
  28. Дж. Эшелби. Континуальная теория дислокаций. ИЛ, М. (1963). 247 с
  29. C.T. Kirk. Phys. Rev. B 38, 1255 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.