Тетельбаум Д.И.1, Михайлов А.Н.1, Белов А.И.1, Ершов А.В.1, Питиримова Е.А.1, Планкина С.М.1, Смирнов В.Н.1, Ковалев А.И.2, Turan R.3, Yerci S.3, Finstad T.G.4, Foss S.4
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-техническое внедренческое предприятие "Поверхность", Центральный научно-исследовательский институт черной металлургии им. И.П. Бардина, Москва, Россия
3Middle East Technical University, Ankara, Turkey
4University of Oslo, Blindern, Norway
Email: tetelbaum@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 6 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 20 января 2009 г.
Методами фотолюминесценции, инфракрасной Фурье-спектроскопии, рамановского рассеяния, просвечивающей электронной микроскопии и дифракции электронов исследованы люминесцентные, оптические и структурные свойства слоев оксида алюминия (сапфира и нанесенных на кремний пленок Al2O3), подвергнутых ионной имплантации Si+ с целью создания нанокристаллов кремния. Установлено, что при высокотемпературном отжиге имплантированных большими дозами образцов в обоих случаях формируются нанокристаллы кремния, однако их люминесцентные свойства существенным образом зависят от типа исходной матрицы - в пленках Al2O3 нанокристаллы излучают в типичной для квантовых точек Si области (700-850 nm), а в сапфире такая фотолюминесценция отсутствует. Выявленное различие интерпретируется как следствие локальных механических напряжений, возникающих в системе нанокристалл/сапфир и приводящих к разрыву химических связей на границе этих фаз, тогда как в пленках Al2O3 механические напряжения релаксируют. Работа частично выполнена в рамках проектов FP6 SEMINANO (контракт NMP4-CT-2004-505285), Минобрнауки РФ (РНП 2.1.1.4022, 2.2.2.2.4737, 2.2.2.3.10002), CRDF (BRHE REC-001, Y4-P-01-05), РФФИ (05-02-16762) и поддержана грантом Президента РФ (МК-3877.2007.2). PACS: 78.55.Qr, 61.82.Rx, 68.55.Ln, 85.40.Ry, 78.55.Ap, 78.55.Qr, 78.30.Am, 68.37.Lp
- P. Bettotti, M. Cazzanelli, L. Dal Negro, B. Danese, Z. Gaburro, C.J. Oton, G. Vijaya Prakash, L. Pavesi. J. Phys.: Cond. Matter 14 8253 (2002)
- L. Pavesi. Materials Today 1, 18 (2005)
- T. Shimizu-Iwayama, S. Nakao, K. Saitoh. Appl. Phys. Lett. 65, 1814 (1994).
- B. Garrido, M. Lopez, A. Perez-Rodriguez, C. Garcia, P. Pellegrino, R. Ferre, J.A. Moreno, J.R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, A. Claverie, J. de la Torre, A. Souifi. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 216, 213 (2004)
- D.I. Tetelbaum, A.N. Mikhaylov, O.N. Gorshkov, A.P. Kasatkin, A.I. Belov, D.M. Gaponova, S.V. Morozov. Vacuum 78, 519 (2005)
- G.D. Wilk, R.M. Wallace, J.M. Anthony. J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001)
- C.J. Park, Y.H. Kwon, Y.H. Lee, T.W. Kang, H.Y. Cho, S. Kim, S.-H. Choi, R.G. Elliman. Appl. Phys. Lett. 84, 2667 (2004)
- D.I. Tetelbaum, O.N. Gorshkov, A.V. Ershov, A.P. Kasatkin, V.A. Kamin, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, D.M. Gaponova, L. Pavesi, L. Ferraioli, T.G. Finstad, S. Foss. Thin Solid Films 515, 333 (2006)
- C.W. White, J.D. Budai, S.P. Withrow, S.J. Pennycook, D.M. Hembree, D.S. Zhou, T. Vo-Dinh, R.H. Magruder. MRS Symp. Proc. 316, 487 (1994)
- S. Yanagiya, M. Ishida. J. Electron. Mat. 28, 496 (1999)
- S. Yerci, U. Serincan, I. Dogan, S. Tokay, M. Genisel, A. Aydinli, R. Turan. J. Appl. Phys. 100, 074 301 (2006)
- Y. Zhu, P.P. Ong. Surf. Rew. Lett. 8, 559 (2001)
- P.P. Ong, Y. Zhu. Phys. E 15, 118 (2002)
- Q. Wan, C.L. Lin, W.L. Liu, T.H. Wang. Appl. Phys. Lett. 82, 4708 (2003)
- L. Bi, J.Y. Feng. J. Lumin. 121, 95 (2006)
- J.F. Ziegler. J. Appl. Phys. 85, 1249 (1999)
- B.D. Evans, G.J. Pogatshnik, Y. Chen. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 91, 258 (1994)
- В.Л. Инденбом. Письма ЖТФ 5, 489 (1979)
- Г.А. Качурин, А.Ф. Лейер, К.С. Журавлев, И.Е. Тысченко, А.К. Гутаковский, В.А. Володин, В. Скорупа, Р.А. Янков. ФТП 32, 1371 (1998)
- L.X. Yi, J. Heitmann, R. Scholz, M. Zacharias. Appl. Phys. Lett. 81, 661 (2002)
- P. Mutti, G. Ghislotti, S. Bertoni, L. Bonoldy, G.F. Cerofolini, L. Meda, E. Grilli, M. Guzzi. Appl. Phys. Lett. 66, 851 (1995)
- Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, В.А. Володин, Д.В. Марин, M. Deutshmann. ФТП 42, 181 (2008)
- Д.И. Тетельбаум, О.Н. Горшков, А.П. Касаткин, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, Д.М. Гапонова, С.В. Морозов. ФТТ 47, 17 (2005)
- Y.Q. Wang, R. Smirani, G.G. Ross. Nano Lett. 4, 203 (2004)
- В.А. Бурдов. ФТП 36, 1233 (2002)
- Л.И. Миркин. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов. Изд-во физ.-мат. лит-ры, М. (1961). 863 с
- Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлиховой. Энергоатомиздат, М. (1991). 1232 с
- Дж. Эшелби. Континуальная теория дислокаций. ИЛ, М. (1963). 247 с
- C.T. Kirk. Phys. Rev. B 38, 1255 (1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.