Методом релаксацип фотопроводимости (lambda = 10.6 мкм) исследованы температурные (77-200 K) зависимости времени жизни неравновесных носителей заряда в подвергнутых ультразвуковой обработке кристаллах n-Cd_xHg_1-xTe (x ~ 0.22) с линейной плотностью малоугловых границ в пределах 10-80 см^-1. На основании данных о параметрах центров рекомбинации (E_a~= 32/ 64 мэВ, Na~= 10¹⁴-10¹⁶ см^-3, C_n ~= (0.6/ 4.2)· 10^-9 см³/с) и электрофизических характеристик (n₀, mu_n), их изменений в зависимости от режимов ультразвуковой обработки рассмотрены возможные механизмы УЗ преобразований в системе точечных структурных дефектов данных кристаллов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.