Издателям
Вышедшие номера
Расщепление линии дислокационного экситона в кристаллах с неравновесными дислокациями
Леликов Ю.С., Ребане Ю.Т., Шретер Ю.Г.
Выставление онлайн: 20 августа 1990 г.

Показано, что возникновение серий в спектрах фотолюминесценции кристаллов германия и кремния, приготовленных методом двухстадийной деформации, можно объяснить на основе представления о сдвиге энергетического уровня дислокационного экситона, находящегося на 90o частичной дислокации, под влиянием деформационного поля соседней 30o частичной дислокации. Получена формула, связывающая положения линий в сериях с дискретным набором расстояний между частичными дислокациями, который в свою очередь определяется постоянной решетки дефекта упаковки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.