Выполнены прямые измерения плазменно-индуцированного показателя преломления GaAs на длине волны 1.06 мкм при двухфотонном возбуждении полупроводника. Получена зависимость его величины от концентрации свободных носителей, которая с учетом процесса межзонной излучательной рекомбинации хорошо соответствует расчетному соотношению Друде вплоть до уровней накачки 6.5 ГВт/см². Определено значение эффективной величины нелинейного показателя преломления, которое позволяет рассчитывать результат нелинейного взаимодействия, обусловленного генерацией свободных носителей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.