Поглощение ультразвука в слаболегированном компенсированном n-InSb при сверхнизких температурах
Выставление онлайн: 20 августа 1990 г.
Измерено электронное поглощение Gamma пьезоактивных ультразвуковых волн в области частот 200-1000 МГц в слаболегированном сильнокомпенсированном (K=0.84/0.96) n-InSb в поперечных магнитных полях до 13 кЭ в интервале температур 0.45-4.2 K. Показано, что в сильных поперечных магнитных полях DeltaGamma(H)=Gamma(H)-Gamma(0)= -a+b/H2, что согласуется с предсказанием теории. В температурной зависимости Gamma(0) наблюдается переход от режима omegatau0<1 к режиму omegatau0>1 (omega - частота звука; tau0 - минимальное время релаксации заселенностей энергетических уровней пар локализованных состояний, ответственных за поглощение). Определены значения и температурная зависимость tau0, идентифицирован механизм релаксации заселенностей - пьезоэлектрическое взаимодействие с акустическими фононами. В сильнокомпенсированных образцах (K>0.9) обнаружена зависимость числа актуальных для поглощения пар от температуры, интенсивности звука и тепловой подсветки.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.