Для градиентных гетероструктур на основе соединений A^IIIB^V в широком диапазоне толщин эпитаксиальных слоев в рамках диффузионной модели проведен расчет координатной зависимости сигнала отраженных электронов (ОЭ) при сканировании электронным зондом по сколу гетероструктуры. В расчете учтены координатное изменение плотности и среднего атомного номера эпитаксиальной пленки по толщине слоя, выход ОЭ с боковой поверхности (свободной поверхности эпитаксиального слоя); использован нелокальный источник ОЭ. Это позволяет получить закон распределения среднего атомного номера по толщине градиентного слоя при известной координатной зависимости сигнала ОЭ. Предложенный подход экспериментально апробирован на гетероструктурах GaAs-Al_xGa_1-xAs с переменным по координате составом в широком диапазоне толщин эпитаксиальных слоев. Функция источника ОЭ аппроксимировалась гауссовским распределением, параметры которого определялись экспериментально. Получено хорошее согласие расчета с экспериментом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.