Издателям
Вышедшие номера
Специфика двумерных электронных состояний в инверсионных слоях полуметаллического Hg1-xCdxTe с флуктуационным перекрытием зон
Раданцев В.Ф., Завьялов В В., Хомутова С.С.
Выставление онлайн: 19 июня 1990 г.

Двумерный электронный газ в приповерхностных слоях сильнолегированного компенсированного полуметаллического Hg0.89Cd0.11Te одновременно обнаруживает черты, характерные для инверсионных и обогащенных слоев (нелинейная зависимость плотности 2D носителей от напряжения на полевом электроде и большие значения стартовых концентраций для возбужденных подзон, присущие инверсионным слоям; реализация режима кинематического связывания", обнаруженного ранее в вырожденных материалах n-типа). Наблюдаемые особенности могут быть объяснены в предположении сосуществования вырожденных дырочного и электронного газов высокой концентрации, что указывает на большую величину флуктуационного перекрытия зоны проводимости с валентной зоной в исследованном материале. Эффективное перекрытие зон Delta =20 мэВ, определенное из анализа квантовых эффектов, хорошо согласуется с результатами гальваномагнитных измерений.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.