Вышедшие номера
Образование дефектов в кристаллах антрацена под воздействием УФ излучения эксимерного лазера
Рейнот Э., Рейнот Т., Тамм Т., Аавиксоо Я.
Выставление онлайн: 19 июня 1990 г.

Количественно исследовано влияние интенсивности эксимерного лазера на спектры низкотемпературной люминесценции кристаллов антрацена. Механизм развития дислокации сводится к светоиндуцированию термических напряжений. Пороговая интенсивность генерации дислокаций 105 Вт/см2, количество дислокаций растет линейно с дозой. При больших дозах тонкие лепестки разрушаются, а в толстых кристаллах спектры экситонного излучения подавляются полностью.