Построены энергетические диаграммы в напряженных сверхрешетках (СР) Ge-Ge_1-xSi_x, выращенных на Ge-подложках с буферным подслоем Ge_1-ySi_y. Параметры зонного спектра структур сопоставляются с особенностями в спектрах электроотражения света от поверхности образцов. Экспериментально наблюдаемые в селективно-легированных СР значения холловской подвижности дырок обнаруживают значительный рост при понижении температуры, согласуясь с выводами теоретической модели. Проанализирована роль упругой деформации слоев СР в данном эффекте.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.