Вышедшие номера
Квантование дырки и край поглощения в сферических микрокристаллах полупроводников со сложной структурой валентной зоны
Григорян Г.Б., Казарян Э.М., Эфрос Ал.Л., Язева Т.В.
Выставление онлайн: 20 мая 1990 г.

Для алмазоподобных полупроводников с конечной величиной спин-орбитального расщепления валентной зоны, описываемых шестизонным гамильтонианом, получены радиальные уравнения для волновых функций дырок, движущихся в сферически симметричном потенциале. С их помощью развита теория уровней размерного квантования дырок в сферических микрокристаллах с кубической кристаллической решеткой. Для кубического CdS построены зависимости положения нижних уровней размерного квантования дырок от радиуса микрокристалла. Исследованы силы осцилляторов переходов на нижний уровень размерного квантования электрона и продемонстрировано, что край поглощения микрокристаллов CdS формируется несколькими сравнимыми по интенсивности переходами с разных уровней размерного квантования дырок. Показано, что нижний уровень дырки в микрокристаллах CdS малого размера является состоянием p-типа симметрии и не дает вклада в оптический переход на нижний уровень размерного квантования электрона (s-типа симметрии). Это объясняет низкий квантовый выход люминесценции в микрокристаллах CdS малого размера.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.