Предложена модель транспорта электронов в области приповерхностного пространственного заряда эмиттеров с отрицательным сродством к электрону. По этой модели основной пик кривых энергетического распределения фотоэлектронов, эмиттированных гранью 111В дырочного GaAs с различной степенью легирования, является суперпозицией групп Gamma- и X-электронов: первые термализованы в Gamma-минимуме зоны проводимости, вторые появляются в области пространственного заряда в результате рассеяния. Эксперимент и численное моделирование процессов транспорта и эмиссии показывают, что длина свободного пробега относительно всех видов фононного рассеяния и время жизни фотоэлектронов практически неизменны при варьировании легирования GaAs германием в пределах 1·10¹⁷-2·10¹⁹ см^-3.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.