Методом ЯМР ⁶⁹Ga и ⁷¹Ga исследованы квадрупольные эффекты в TlGaSe₂ в области температур 120-330 K. Определены параметр асимметрии и ориентация осей тензора градиента электрического поля на ядрах галлия выше и ниже температуры T_i=247.5 K фазового перехода в TlGaSe₂. Приводятся доказательства наличия слабой связи Тl-Ga между слоистой и цепочечной подрешетками TlGaSe₂. Предполагается, что фазовый переход связан с потерей устойчивости решетки относительно поворотов тетраэдров Ga₄Se₁₀ вокруг связей Тl-Ga.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.