Получены температурно-аномальные поправки к упругому модулю третьего порядка в кристаллах с структурным фазовым переходом при наличии незаряженных точечных дефектов, а также в случае сегнетоэлектрического фазового перехода в присутствии заряженных точечных и дипольных примесей. Результаты непосредственно обобщаются для упругих модулей более высоких порядков. Рассматриваются точечные дефекты, относящиеся к типу дефектов с нарушением симметрии кристалла с фазовым переходом. Расчеты применимы в области вне критического режима, где взаимодействие между дефектами мало. Предполагается, что в исходном кристалле переход происходит в однородное состояние. Проведено сравнение относительной роли примесных и флуктуационных вкладов. Для структурных дефектов и для дипольных в трехосном сегнетоэлектрике модуль упругости третьего порядка C~ alpha^-5/2, где alpha характеризует температурную зависимость щели в спектре критических фононов. В трехосном сегнетоэлектрике с заряженными дефектами C ~ alpha^-3/2, а в одноосном без пьезоэффекта в парафазе точечные заряженные дефекты дают C ~ alpha^-2, для дипольных C~ alpha^-1. В присутствии пьезоэффекта соответственно C ~ alpha^-3/2 и C~ alpha^-1/2. Таким образом, наибольшие по величине и более резкие температурные аномалии имеют место при структурных фазовых переходах, а также для заряженных точечных дефектов в одноосных сегнетоэлектриках, у которых критическая мода непосредственно взаимодействует с электрическим полем примесей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.