Вышедшие номера
Начальные стадии роста Ge на поверхности Si(7 7 10)
Жачук Р.А.1, Романюк К.Н.1, Тийс С.А.1, Ольшанецкий Б.З.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: olshan@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 25 декабря 2007 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2008 г.

Методом сканирующей туннельной микроскопии исследованы начальные стадии роста Ge на поверхности Si(7 7 10), содержащей регулярные ступени высотой в три межплоскостных расстояния. В литературе эта поверхность ранее обозначалась как (557). Изучена зависимость морфологии и структуры поверхности Si(7 7 10) от величины покрытия Ge и температуры его осаждения. Показано, что возможно формирование нанообъектов типа нанопроволок трех видов на этой поверхности. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 07-02-00274). PACS: 61.30.Hn, 61.46.Hk, 68.37.Ef
  1. R.A. Zhachuk, S.A. Teys, A.E. Dolbak, B.Z. Olshanetsky. Surf. Sci. 565, 37 (2004)
  2. Р.А. Жачук, С.А. Тийс, Б.З. Ольшанецкий. Письма в ЖЭТФ 79, 467 (2004)
  3. J. Viernow, D.Y. Petrovykh, F.-K. Men, A. Kirakosian, J.-L. Lin, F.J. Himpsel. Appl. Phys. Lett. 74, 2125 (1999)
  4. Zheng Gai, R.G. Zhao, W.S. Yang, T. Sakurai. Phys. Rev. B 61, 9928 (2000)
  5. F.J. Himpsel, A. Kirakosian, J.N. Crain, J.-L. Lin, D.Y. Petrovykh. Solid State Commun. 117, 149 (2001)
  6. A. Kirakosian, J.-L. Lin, D.Y. Petrovykh, J.N. Crain, F.J. Himpsel. J. Appl. Phys. 90, 3286 (2001)
  7. J.-L. Lin, D.Y. Petrovykh, A. Kirakosian, H. Rauscher, F.J. Himpsel. Appl. Phys. Lett. 78, 829 (2001)
  8. J.N. Crain, J.L. McChesney, Fan Zheng, M.C. Gallagher, P.C. Snijders, M. Bissen, C. Gundelach, S.C. Erwin, F.J. Himpsel. Phys. Rev. B 69, 125 401 (2004)
  9. К.Н. Романюк, С.А. Тийс, Б.З. Ольшанецкий. ФТТ 48, 1716 (2006)
  10. G. Jin, Y. S. Tang, J.L. Liu, K.L. Wang. Appl. Phys. Lett. 74, 2471 (1999)
  11. H. Omi, T. Ogino. Phys. Rev. B 59, 7521 (1999)
  12. B.Z. Olshanetsky, S.A. Teys. Surf. Sci. 230, 184 (1990)
  13. В.И. Машанов, Б.З. Ольшанецкий. Письма в ЖЭТФ 36, 290 (1982)
  14. R.J. Phaneuf, E.D. Williams. Phys. Rev. B 41, 2991 (1990)
  15. Jian Wei, X.-S. Wang, J.L. Goldberg, N.C. Bartelt, E.D. Williams. Phys. Rev. Lett. 68, 3885 (1992)
  16. A. Kirakosian, R. Bennewitz, J.N. Crain, Th. Fauster, J.-L. Lin, D.Y. Petrovykh, F.J. Himpsel. Appl. Phys. Lett. 79, 1608 (2001)
  17. S.A. Teys, K.N. Romanyuk, R.A. Zhachuk, B.Z. Olshanetsky. Surf. Sci. 600, 4878 (2006)
  18. S.A. Teys, B.Z. Olshanetsky. Phys. Low-Dim. Struct. 1/2, 37 (2002)
  19. GH. J. Gossmann, J.G. Bean, L.C. Feldman, E.G. McRae, I.K. Robinson. Phys. Rev. Lett. 55, 1106 (1985)
  20. Л.В. Соколов, М.А. Ламин, О.П. Пчеляков, С.И. Стенин, А.И. Торопов. Поверхность 9, 75 (1985)
  21. U. Kohler, O. Jusko, G. Pietsch, B. Muller, M. Henzler. Surf. Sci. 248, 321 (1991)
  22. R.S. Becker, J.A. Golovchenko, B.S. Swartzentruber. Phys. Rev. B 32, 8455 (1985)
  23. S.A. Teys, I.G. Kozhemyako, B.Z. Olshanetsky. Phys. Low-Dim. Struct. 7/8, 81 (1999)
  24. R. Hild, C. Seifert, M. Kammler, F.-J. Meyer zu Heringdorf, M. Horn-von-Hoegen, R.A. Zhachuk, B.Z. Olshanetsky. Surf. Sci. 512, 117 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.