Издателям
Вышедшие номера
Захват фотоэлектронов на дефекты поверхности при фотоэмиссии из арсенида галлия в вакуум
Белиничер В.И., Паулиш А.Г., Рыженкова И.В., Терехов А.С., Шевелев С.В.
Выставление онлайн: 19 марта 1990 г.

Изучаются причины ограничения вероятности выхода электрона в вакуум из полупроводника с отрицательным электронным сродством. С этой целью проведены численное моделирование и экспериментальное исследование спектров квантового выхода арсенида галлия с небольшим, но положительным электронным сродством. Форма этих спектров с явно выраженными вкладами в фототок термализованных и горячих электронов Gamma-долины оказалась чувствительной к характеру взаимодействия фотоэлектронов с поверхностью. Сравнение рассчитанных и измеренных спектров показало, что основным процессом, лимитирующим вероятность эмиссии, является не отражение, а захват электронов поверхностью.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.