Исследованы спектры края поглощения полупроводникового твердого раствора In_1-xGa_xAs/InP. В напряженных и свободных от напряжений образцах получены зависимости сил осцилляторов и ширин экситонных линий от величины магнитного поля. Проведено сравнение этих зависимостей с теорией уширения экситонных линий в полупроводниковых твердых растворах. Показано, что зависимость ширины экситонной линии в In_1-xGa_xAs/InP от магнитного поля хорошо описывается в рамках модели "донороподобного экситона".

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.