Издателям
Вышедшие номера
Фононопроводимость легированных кристаллов n-Ge
Данильченко Б.А., Рожко С.X.
Выставление онлайн: 19 марта 1990 г.

Приведены результаты экспериментальных исследований изменения проводимости кристаллов n-Ge при T=2/ 4.2 K, стимулированного потоками неравновесных акустических фононов. Исследовались некомпенсированные образцы с концентрациями NdSb = 2·1016 и NdAs=1.5·1017 см-3, близкими к переходу Мотта. Изменение проводимости сопоставлялось с времяпролетными спектрами неравновесных фононов в этих же кристаллах. Показано, что приложение одноосного давления вдоль < 111> направления влияет как на акустическую прозрачность кристалла, так и на величину и характер фононопроводимости. В Ge : Sb при P>4· 108 дин/см2 изменение тока однозначно связано с участием акустических фононов в прыжковой проводимости. Результаты в Ge : As анализируются с привлечением малоизученного неупругого механизма поглощения фононов при переходе электрона их связанного состояния в Д- зону. Обнаружено аномально сильное поглощение T1A фононов в кристалле Ge : As.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.