Измеряется и анализируется теплопроводность образцов PbSe с концентрацией электронов 2·10¹⁹-3·10²⁰ см^-3 при легировании хлором и при двойном легировании индием и хлором в интервале температур 80-400 K. При использовании в расчете электронной теплопроводности при 300 K числа Лоренца, соответствующего упругому рассеянию, после вычитания электронной составляющей из измеренной полной теплопроводности оказывается, что решеточное тепловое сопротивление растет с увеличением концентрации электронов n, достигает максимума при n~10²⁰ см^-3, затем падает до значения, соответствующего слабо легированным образцам. Включение в рассмотрение межэлектронных столкновений приводит к уменьшению числа Лоренца при 300 K (до 20 % при n~2·10¹⁹ см^-3) и к величине решеточной теплопроводности, независящей от n. Такой же результат для решеточной теплопроводности получен при 80 K, где число Лоренца значительно снижено благодаря неупругости рассеяния. Таким образом, дополнительное тепловое сопротивление, обусловленное рассеянием фононов на заряженных примесных атомах, в PbSe отсутствует.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.