Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Комплексное исследование несовершенств структуры кристаллов CdTe и CdTe:Cl, выращенных методом сублимации
Попович В.Д.1, Курило И.В.2, Рудый И.О.2, Сизов Ф.Ф.3, Шуптар Д.Д.1
1Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина 
2Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
3Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
3Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: vpopovych@yahoo.com
Поступила в редакцию: 30 марта 2010 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2010 г.
Приведены результаты изучения структуры кристаллов CdTe и CdTe:Cl, выращенных модифицированным методом физического транспорта в паровой фазе, с помощью химического селективного травления, электронографии и рентгеновской дифрактометрии. Обнаружено улучшение структурного совершенства в направлении роста и от периферии радиального сечения кристалла к его центру. Показано, что основным источником образования дислокаций и причиной их неоднородного распределения по объему слитков являются термомеханические напряжения, возникающие из-за адгезии кристаллов со стенками ростовой ампулы. Часть работы выполнена в рамках проекта N Ф25/110-2008 (N ДР 0108U003870) Министерства Образования и Науки Украины.
- T. Takahashi, K. Nakazawa, S. Watanabe, G. Sato, T. Mitani, T. Tanaka, K. Oonuki, K. Tamura, H. Tajim, T. Kamae, G. Madejski, M. Nomachi, Y. Fukazawa, K. Makishima, M. Kokubun, Y. Tarada, J. Kataoka, M. Tashiro. Nucl. Instr. Meth. A 541, 368 (2005)
- M. Tsuchimochi, H. Sakahara, K. Hayama, M. Funaki, R. Ohno, T. Shirahata, T. Orskaug, G. Maehlum, K. Yoshioka, E. Nygard. Eur. J. Nucl. Med. Mol. Imaging. 30, 1605 (2003)
- J. Kastlander, Chr. Bargholtz. Nucl. Instr. Meth. A 596, 409 (2008)
- Н.М. Бойных. Науч. тр. МИСиС 146, 65 (1983)
- B. Yang, Y. Ishikawa, Y. Doumae, T. Miki, T. Ohyama, M. Isshiki. J. Cryst. Growth 172, 370 (1997)
- N. Armani, C. Ferrari, G. Salviati, F. Bissoli, M. Zha, L. Zanotti. Mater. Sci. Eng. B 91--92, 335 (2002)
- Л.А. Клинкова, С.А. Ерофеева. Неорган. Матер., 24, 223 (1988)
- T.I. Milenov, M.M. Gospodinov. Nucl. Instr. Meth. A 322, 368 (1992)
- H.N. Jayatirtha, D.O. Henderson, A. Burger, M.P. Volz. Appl. Phys. Lett. 62, 573 (1993)
- H.-Y. Shin, C.-Y. Sun. J. Cryst. Growth 186, 67 (1998)
- K. Mochizuki, T. Yoshida, K. Igaki, T. Shoji, Y. Hiratate. J. Cryst. Growth 74, 123 (1986)
- Y. Yan, M.M. Al-Jassim, K.M. Jones. J. Appl. Phys. 96, 320 (2004)
- V.D. Popovych, I.S. Virt, F.F. Sizov, V.V. Tetyorkin, Z.F. Tsybrii (Ivasiv), L.O. Darchuk, O.A. Parfenjuk, M.I. Ilashchuk. J. Cryst. Growth 308, 63 (2007)
- Г.В. Иденбаум, Р.П. Бароненкова, Н.Н. Бойных. Физика и химия обраб. материалов. 2, 91 (1971)
- Л.А. Клинкова, Н.И. Ганович, О.С. Колесникова. Неорган. материалы 24, 1264 (1988)
- М.Г. Мильвидский. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. Металлургия, М. (1984). 256 с
- F. Bissoli, N. Armani, G. Salviati, C. Ferrari, M. Zha, A. Zappettini, L. Zanotti. Phys. Status Solidi C 1, 735 (2004)
- Г.Ф. Кузнецов, С.А. Семилетов. Дифракционные методы неразрушающего контроля реальной структуры эпитаксиальных и поликристаллических пленок в микроэлектронике. ЦННИИ "Электроника", М. (1975). 94 с
- P. Sagan, M. Kuzma. Appl. Surf. Sci. 601, 1212 (2007)
- K.Y. Lay, D. Nichols, S. McDevitt, B.E. Dean, C.J. Johnson. J. Cryst. Growth 86, 118 (1988)
- R. Kumaresan, R. Gopalakrishnan, S. Moorthy Babu, P. Ramasamy, P. Zaumseil, M. Ichimura. J. Cryst. Growth 210, 193 (2000)
- P. Franzosi, S. Bernardin. In: Properties of narrow gap cadmium-based compounds / Ed. P. Capper. INSPEC, London, UK (1994). P. 521
- J.L. Boone, G. Cantwell, W.C. Harsch, J.E. Thomas, B.A. Foreman. J. Cryst. Growth 139, 27 (1994)
- S.V. Tsivinsky. Kristall Technik 10, 5 (1975)
- В.Л. Рот. В сб.: Физика и химия соединений AIIBVI / Пер. с англ. под ред. С.А. Медведева. Мир, М. (1970). С. 103
- M.G. Williams, R.d. Tomlinson, M.J. Hampshire. Solid State Commun. 7, 1831 (1969)
- P. Rudolph. Progr. Cryst. Growth Charact. 29, 275 (1995)
- W. Rosch, F. Carlson. J. Cryst. Growth 109, 75 (1991)
- D.J. Larson, R.P. Silberstein, D.Di Marzio, F.C. Carlson, D. Gillies, G. Long, M. Dudley, J. Wu. Semicond. Sci. Technol. 8, 911 (1993)
- N.M. Aitken, M.D.G. Potter, D.J. Buckley, J.T. Mullins, J. Carles, D.P. Hallidey, K. Durose, B.K. Tanner, A.W. Brinkman. J. Cryst. Growth 198/199, 984 (1999)
- W. Palosz, K. Grasza, K. Durose, D.P. Halliday, N.M. Boyall, M. Dudley, B. Raghothamachar, L. Cai. J. Cryst. Growth 254, 316 (2003)
- И.В. Курило, В.И. Кучма. Неорган. материалы 18, 569 (1982)
- T.I. Milenov, M.M. Gospodinov. Mater. Sci. Eng. B 84, 189 (1001).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
