Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Y- и Z-люминесценция поликристаллического теллурида кадмия

Ушаков В.В.¹, Клевков Ю.В.¹

¹Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Email: ushakov@sci.lebedev.ru

Поступила в редакцию: 11 февраля 2010 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2010 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Микрофотолюминесцентными методами спектрального анализа и топографии исследованы свойства поликристаллического CdTe с размером зерен 5-30 mum, полученного методом прямого синтеза в потоке паров компонентов при низкой температуре. Доминирование в спектрах Y- и Z-полос отражало неравновесный характер процессов кристаллизации. Сверхлинейные зависимости интенсивностей излучения от уровня межзонного возбуждения свидетельствуют об экситонной природе этих переходов. Определенные для области T=100-150 K значения энергий активации температурного гашения люминесценции 120 (Y) и 180 meV (Z) соответствуют диссоциации связанных на дефектах экситонов с переходом носителей в зону проводимости и валентную зону. Данные монохроматической топографии указывают на различную материальную основу Y- и Z-дефектов. Работа выполнена по проекту РФФИ N 07-02-00392, в рамках программы ОФН РАН "Физика новых материалов и структур" и программы Президиума РАН "Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов".

P.J. Dean. Phys. Status Solidi A 81, 625 (1984)
P.J. Dean, G.M. Williams, G. Blackmore. J. Phys. D. 17, 2291 (1984)
S. Fujii, T. Terada, Y. Fujita, T. Iuchi. Jpn. J. Appl. Phys. 28, L 712 (1989)
C. Onodera, T. Taguchi. J. Cryst. Growth 101, 502 (1990)
J. Krustok, J. Madasson, J. Hiie. Phys. Status, Solidi A 165, 517 (1998)
J.M. Figueroa, F. Sanchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvares, O. Zelaya, G. Contreras-Puente, A. Dias-Gongora. J. Cryst. Growth 106, 651 (1990)
T. Taguchi, M. Suita. Jpn. J. Appl. Phys. 28, L 1889 (1989)
D. Brink, H.W. Kunert. J. Appl. Phys. 78, 6720 (1995)
G. Brunthaler, W. Jantsch, U. Kaufmann, J. Schneider. J. Phys: Cond. Matter 1, 1925 (1989)
D.M. Hofmann, P. Omling, H.G. Grimmeiss, B.K. Meyer, K.W. Benz, D. Sinerius. Phys. Rev. B 45, 6247 (1992)
W. Stadler, D.M. Hofmann, H.C. Alt, T. Muschik, B.K. Meyer, E. Weigel, G. Muller-Vogt, M. Salk, E. Rupp, K.W. Benz. Phys. Rev. B 51, 10 619 (1995)
A.V. Kvit, Y.V. Klevkov, S.R. Oktyabrsky, B.G. Zhurkun. Semicond. Sci. Technol. 9, 1805 (1994)
J. Krustok, V. Valdna, K. Hjelt, H. Collan. J. Appl. Phys. 80, 1757 (1996)
A.V. Kvit, Y.V. Klevkov, S.R. Oktyabrsky, A.V. Tsikunov, B.G. Zhurkun. Mater. Sci. Eng. B 26, 1 (1994)
T. Schmidt, K. Lischka, W. Zulehner. Phys. Rev. B 45, 8989 (1992)
M. Gardenas-Garsia, J. Aguilar-Henandez, G. Contreras-Puente. Thin Solid Films 480--481, 269 (2005)
J.P. Laurenti, J. Camassel, A. Bouhemadou, B. Toulouse, R. Legros, A. Lusson. J. Appl. Phys. 67, 6454 (1990)
Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках. Мир, М. (1973). 456 с
H. Zimmermann, R. Boyn, K. Piel. J. Phys.: Cond. Matter 4, 859 (1992)
D. Bimberg, M. Sondergeld, E. Grobe. Phys. Rev. B 4, 3451 (1971)
D.P. Haliday, M.D.G. Potter, J.T. Mullins, A.W. Brinkman. J. Cryst. Growth 220, 30 (2000)
S. Hildebrandt, H. Uniewski, J. Schreiber, H.S. Leipner. J. Phys. III 7, 1505 (1997)
K. Zanio. Semiconductors and semimetals / Eds R.K. Willardson, A.C. Beer. Academic Press, N.Y.--San Francisco--London (1978). V. 13. P. 91
S. Seto, A. Tanaka, F. Takeda, K. Matsuura. J. Cryst. Growth 138, 346 (1994)
U. Hilpert, J. Schreiber, L. Worschech, L. Horing, M. Ramsteiner, W. Ossau, G. Landwehr. J. Phys. : Cond. Matter 12,10 169 (2000)
M. Kutrowski, T. Wojtowicz, G. Gywinski, L.V. Titova, E. Martin, X. Liu, J.K. Furdyna, M. Dobrowolska. J. Appl. Phys. 97, 013 519 (2005)
K. Wolf, A. Naymov, T. Reisinger, M. Kastner, H. Stanzl, W. Kuhn, W Gebhardt. J. Cryst. Growth 135, 113 (1994)
Y.T. Rebane, Y.G. Shreter. In: Policrystalline Semiconductors II / Eds J. H. Werner, H.P. Strunk. Springer, Berlin (1991). P. 28
R. Sauer, J. Weber, J. Stolz, E.R. Weber, K.-H. Kusters, H. Alexander. Appl. Phys. A 36, 1 (1985)
T. Sekiguchi, K. Sumino. J. Appl. Phys. 79, 3253 (1996)
V.V. Kveder, E.A. Steinman, S.A. Shevchenko, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B 51, 10 520 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель