Издателям
Вышедшие номера
Влияние параметров дельта<Mn>-легирования GaAs-барьера на циркулярно поляризованную люминесценцию гетероструктур GaAs/InGaAs
Дорохин М.В.1, Зайцев С.В.2, Бричкин А.С.2, Вихрова О.В.1, Данилов Ю.А.1, Звонков Б.Н.1, Кулаковский В.Д.2, Прокофьева М.М.1, Шолина А.Е.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт твердого тела РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
Email: dorokhin@nifti.unn.ru
Выставление онлайн: 20 октября 2010 г.

Исследована циркулярная поляризация низкотемпературной электролюминесценции диодов на основе гетероструктур с нелегированной квантовой ямой InGaAs/GaAs и дельта<Mn>-слоем в GaAs-барьере. Изучена возможность изменения степени циркулярной поляризации электролюминесценции путем варьирования основных конструкционных параметров диодов (толщины спейсерного слоя, т. е. расстояния между дельта<Mn>-слоем и квантовой ямой, концентрации атомов в дельта<Mn>-слое, введения дополнительного акцепторного дельта-слоя). Найдено, что наиболее эффективным способом управления степенью циркулярной поляризации электролюминесценции является изменение толщины спейсерного слоя. Работа выполнена при поддержке грантов РФФИ (N 07-02-00486, 08-02-97038 p_поволжье), CRDF (BP4M01), программы "Развитие научного потенциала высшей школы" (РНП 2.2.2.2/4297), программы фундаментальных исследований Президиума РАН N 27 "Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов" и ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России".
  • A.M. Nazmul, T. Amemiya, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Tanaka. Phys. Rev. Lett. 95, 017 201 (2005)
  • С.В. Зайцев, М.В. Дорохин, А.С. Бричкин, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, В.Д. Кулаковский. Письма в ЖЭТФ 90, 10, 730 (2009)
  • R.C. Myers, A.C. Gossard, D.D. Awschalom. Phys. Rev B 69, 161 305 (2004)
  • M.V. Dorokhin, Yu.A. Danilov, P.B. Demina, V.D. Kulakovskii, O.V. Vikhrova, S.V. Zaitsev, B.N. Zvondov. J. Phys. D.: Appl. Phys. 41, 245 110 (2008)
  • H. Nemec, A. Pashkin, P. Kuhel, M. Khazan, S. Schnoll, I. Wilke. J. Appl. Phys. 90 1303 (2001)
  • H. Ohno. Science 281, 951 (1998)
  • M.J. Wilson, G. Xiang, B.L. Sheu, P. Schiffer, N. Samarth, S.J. May, A. Bhattacharya. Appl. Phys. Lett. 93, 262 502 (2008)
  • Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Е.С. Демидов, П.Б. Дёмина, М.В. Дорохин, Ю.Н. Дроздов, В.В. Подольский, М.В. Сапожников. Опт. журн. 75, 56 (2008)
  • T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, D. Ferrand. Science 287, 1019 (2000)
  • K.W. Edmonds, P. Boguslawski, K.Y. Wang, R.P. Campion, S.N. Novikov, N.R.S. Farley, B.L. Gallagher, C.T. Foxon, M. Sawicki, T. Dietl, M. Buongiorno Nardelli, J. Bernholc. Phys. Rev. Lett. 92, 037 201 (2004)
  • A.M. Nazmul, S. Sugahara, M. Tanaka. Phys. Rev. B 67, 241 308 (2003)
  • M.V. Dorokhin, B.N. Zvonkov, Yu.A. Danilov, V.V. Podolskii, P.B. Demina, O.V. Vikhrova, E.I. Malysheva, M.V. Sapozhnikov. Int. J. Nanosci. 6, 221 (2007)
  • О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.В. Дорохин, Б.Н. Звонков, И.Л. Калентьева, А.В. Кудрин. Письма в ЖТФ 35, 14, 8 (2009)
  • V.F. Sapega, M. Moreno, M. Ramsteiner, L. Daweritz, K.H. Ploog. Phys. Rev. Lett. 94, 137 401 (2005)
  • О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, П.Б. Демина, М.В. Дорохин, Б.Н. Звонков, М.М. Прокофьева, Ю.Н. Дроздов, М.В. Сапожников. Изв. АН. Сер. физ. 73, 16 (2009)
  • А.Я. Шик. ФТП 26, 1161 (1992)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.