Исследовано влияние упругих напряжений (сжатия, растяжения) на магнитные свойства эпитаксиальных слоев GaMnAs, полученных методом лазерного распыления твердотельных мишеней в газовой атмосфере на различных буферных подслоях (In_xGa_1-xAs и In_xGa_1-xP) и подложках (GaAs, InP). По данным исследований магнитополевых зависимостей сопротивления Холла было установлено, что все слои обладали ферромагнитными свойствами с температурой Кюри ~50 K. Показано, что в случае напряжений растяжения в слоях GaMnAs (буферы In_xGa_1-xAs и In_xGa_1-xP, подложка InP) вид аномального эффекта Холла свидетельствует о преимущественной ориентации оси легкого намагничивания в направлении роста в отличие от слоев GaMnAs, полученных на подложке GaAs (с напряжениями сжатия), демонстрирующих преобладание составляющей вектора намагниченности в плоскости слоя. Работа выполнена при поддержке грантов РФФИ N 08-02-00548а и 08-02-97038р_поволжье_а, АВЦП "Развитие потенциала высшей школы" 2.2.2.2/4297 и CRDF BP4M01, Программы фундаментальных исследований Президиума РАН N 27 "Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов", Программы фундаментальных исследований ОФН РАН "Спиновые явления в твердотельных наноструктурах и спинтроника" и ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России".

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.