Исследуются причины неудовлетворительного совпадения результатов экспериментального исследования глубины формирования рентгеновской эмиссионной Si L_2,3-полосы, возбуждаемой электронным ударом в слоях SiO₂, с расчетом, выполненным с использованием феноменологической модели Боровского-Рыдника, модифицированной для неизотропных и наноструктурированных систем. Показано, что в области низких энергий первичных электронов наиболее вероятной причиной различий является влияние шероховатости поверхности и межфазовой границы исследованной системы SiO₂/Si, а в области больших толщин и энергий - уменьшение чувствительности и точности измерений. Так как не было обнаружено дефектов использованной модели расчетов, в ее рамках был проведен расчет зависимостей глубины формирования рентгеновских эмиссионных L-полос в кристаллах Mg, Si, Ti, Cr, Fe и Cu от энергии электронов первичного пучка. Работа выполнена при поддержке аналитической ведомственной целевой программы Минобрнауки РФ "Развитие научного потенциала высшей школы (2009-2010 гг.)", грант N 2.1.1/475.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.