Вышедшие номера
Электронный магнитный резонанс синтетического гётита в области магнитного перехода
Кокшаров Ю.А.1,2, Долженко В.Д.1, Агазаде С.А.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
Email: YuA_Koksharov@rambler.ru
Поступила в редакцию: 19 января 2010 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.

Исследованы спектры электронного магнитного резонанса в X-диапазоне для синтетического гётита в области магнитного фазового перехода. Помимо относительно узких слабых резонансных линий, обусловленных дефектами структуры, обнаружена очень широкая интенсивная линия, резонансные параметры которой резко изменяются в области температур 325-375 K. Аномально большое уширение сигнала электронного магнитного резонанса ионов трехвалентного железа выше температуры Нееля может быть объяснено анизотропией магнитных обменных взаимодействий. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (проект N 09-03-01041).