Издателям
Вышедшие номера
Экспериментальное исследование силы осциллятора экситонного перехода в одиночных квантовых ямах GaAs
Полтавцев C.В.1, Строганов Б.В.1
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
Email: svp@bk.ru
Поступила в редакцию: 15 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.

На основе спектроскопии резонансного отражения разработана методика, позволяющая получать механизмы фазовой релаксации экситонов в одиночных квантовых ямах GaAs. Измерена зависимость силы осциллятора экситонного перехода от толщины квантовой ямы в диапазоне 9.1-30 nm. Показано, что сила осциллятора с хорошей точностью не зависит от температуры в интервале 8-90 K. Измерена температурная зависимость однородного уширения, а также найдена величина неоднородного уширения резонансной экситонной линии. На образце с высококачественной квантовой ямой обнаружена немонотонная зависимость спектрального уширения экситонной линии от интенсивности резонансного возбуждения при температуре 8 K. Установлено, что сила осциллятора экситонного перехода слабо меняется при увеличении уровня возбуждения на пять порядков величины выше линейного предела, при этом спектральный контур многократно уширяется. Работа поддержана грантами МНТЦ (N 2679), РФФИ (N 07-02-00979), Агентства по образованию РФ (N 2.1.1/1792).
  • I.Ya. Gerlovin, V.V. Ovsyankin, B.V. Stroganov, V.S. Zapasskii. Nanotechnology 11, 383 (2000)
  • I.Ya. Gerlovin, V.V. Ovsyankin, B.V. Stroganov, V.S. Zapasskii. J. Lumin. 87--89, 421 (2000)
  • R. Brewer, R. Shoemaker. Phys. Rev. A 6, 2001 (1972)
  • S.V. Poltavtsev, V.V. Ovsyankin, B.V. Stroganov. Phys. Status Solidi C 6, 2, 483 (2009)
  • L.C. Andreani, F. Tassone, F. Bassani. Solid State Commun. 77, 9, 641 (1991)
  • Л.Е. Воробьев, Е.Л. Ивченко, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин. Оптические свойства наноструктур. Наука, СПб (2001). 188 с
  • M.G. Benedict, E.D. Trifonov. Phys. Rev. A 38, 2854 (1988)
  • V. Savona, W. Langbein. Phys. Rev. B 74, 075 311 (2006)
  • M. Grundmann, D. Bimberg. Phys. Rev. B 38, 13 486 (1988)
  • D.S. Citrin. Phys. Rev. B 47, 3832 (1993)
  • E. Hanamura. Phys. Rev. B 38, 1228 (1988)
  • J. Lee, E.S. Koteles, M.O. Vassell. Phys. Rev. B 33, 5512 (1986)
  • П. Ю, М. Кардона. Основы физики полупроводников. Физматлит, М. (2002). 560 с
  • D. Birkedal, J. Singh, V.G. Lyssenko, J. Erland, J.M. Hvam. Phys. Rev. Lett. 76, 672 (1996)
  • S. Adachi, T. Miyashita, S. Takeyama, Y. Takagi, A. Tackeuchi, M. Nakayama. Phys. Rev. B 55, 1654 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.