Издателям
Вышедшие номера
Комбинационное рассеяние света в мозаичных пленках карбида кремния
Аксянов И.Г.1, Компан М.Е.1, Кулькова И.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: kompan@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 22 декабря 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.

Исследованы спектры комбинационного рассеяния света в мозаичных пленках карбида кремния, выращенных методом твердотельной эпитаксии на кремниевых подложках. Определены основные политипы, составляющие материал пленки. Экспериментально обнаружено, что свойства пленки карбида кремния меняются после нанесения поверх нее пленки нитрида алюминия, что интерпретируется как проявление хороших демпфирующих свойств пленки SiC при выращивании на ней слоев других полупроводников.
  • Silicon carbide: recent major advances / Eds W.J. Choyke, H. Matsunami, G. Pensl. Springer-Verlag, Berlin--Heidelberg--N.Y. (2004). 899 p
  • Л.М. Сорокин, Н.В. Веселов, М.В. Щеглов, А.Е. Калмыков, А.А. Ситникова, Н.А. Феоктистов, А.В. Осипов, С.А. Кукушкин. Письма в ЖТФ 34, 22, 88 (2008)
  • М.Е. Компан, И.Г. Аксянов, И.В. Кулькова, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ 51, 2326 (2009)
  • D.W. Feldman, J.H. Parker, Jr., W.H. Choyke, L. Patrick. Phys. Rev. 170, 698 (1968)
  • D.W. Feldman, J.H. Parker, Jr., W.J. Choyke, L. Patrick. Phys. Rev. 173, 787 (1968)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. Патент РФ N 2008102398. Приоритет 22.01.2008
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 50, 1188 (2008)
  • P.A. Temple, C.E. Hathaway. Phys. Rev. B 7, 9, 3685 (1973)
  • M. Bechelany, A. Brioude, D. Cornu, G. Ferro, P. Miele. Adv. Funct. Mater. 17, 939 (2007)
  • L.A. Falkovsky, J.M. Bluet, J. Camassel. Phys. Rev. B 57, 18, 11 283 (1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.