Издателям
Вышедшие номера
Влияние рассеяния на границах на теплопроводность наноструктурированного полупроводникового материала на основе твердого раствора BixSb2-xTe3
Булат Л.П.1, Драбкин И.А.2, Каратаев В.В.2, Освенский В.Б.2, Пшенай-Северин Д.А.3
1Санкт-Петербургский государственный университет низкотемпературных и пищевых технологий, Санкт-Петербург, Россия
2Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет", Москва, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: bulat@gunipt.spb.ru
Поступила в редакцию: 24 декабря 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.

Теоретически и экспериментально исследовано изменение электропроводности и теплопроводности в наноструктурированном материале на основе твердых растворов BixSb2-xTe3. Влияние граничного рассеяния учитывалось путем введения механизма рассеяния с постоянной длиной свободного пробега, равной размеру наночастиц. Сравнения с результатами измерений показали, что, используя только параметры исходного твердого раствора и составляющих его чистых компонентов, удается удовлетворительно описать зависимости электро-, и теплопроводности от размера наночастиц, полученные экспериментально. Оценки показали, что в наноструктурированных материалах решеточная теплопроводность может быть уменьшена на 20-30% по сравнению с исходным твердым раствором при размерах наночастиц порядка 20 nm, что должно благоприятно сказаться на величине термоэлектрической эффективности. Работа выполнена при поддержке Роснауки (контракты N 2008-03-1.3-25-02, N 02.513.12.3062) и Фонда содействия отечественной науке.
  • M.S. Dresselhaus, G. Chen, M.Y. Tang, R. Yang, H. Lee, D. Wang, Zh. Ren, J.P. Fleurial, P. Gogna. Adv. Mater. 19, 1043 (2007)
  • T.C. Harman, P.J. Taylor, M.P. Walsh, B.E. LaForge. Science 297, 2229 (2002)
  • R. Venkatasubramanian, E. Silvota, T. Colpitts, B. O'Quinn. Nature 413, 597 (2001)
  • T.C. Harman, P.J. Taylor, D.L. Spears, M.P. Walsh. J. Electron. Mater. 29, L 1-4 (2000)
  • B. Poudel, Q. Hao, T. Ma, Y. Lan, A. Minnich, B. Yu, X. Yan, D. Wang, A. Muto, D. Vashaee, X. Chen, J. Liu, M.S. Dresselhaus, G. Chen, Zh. Ren. Science 320, 634 (2008)
  • L.P. Bulat, V.B. Osvensky, G.I. Pivovarov, A.A. Snarskii, E.V. Tatyanin, A.A.O. Tay. Proc. VI Eur. Conf. on Thermoelectrics (2008). P. I2-1
  • Л.П. Булат, И.А. Драбкин, В.Б. Освенский, Г.И. Пивоваров, А.А. Снарский, Е.В. Татьянин. Докл. XI Межгос. сем. "Термоэлектрики и их применения". ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, СПб (2008). С. 39
  • L.P. Bulat, V.T. Bublik, I.A. Drabkin, V.V. Karatayev, V.B. Osvensky, G.I. Pivovarov, D.A. Pshenai-Severin, E.V. Tatyanin, N.Yu. Tabachkova. J. Thermoelectric. 3, 67 (2009)
  • H.J. Goldsmid, H.B. Lyon, E.H. Volckmann. Proc. 14th Int. Conf. Thermoelectrics. IEEE, St. Petersburg (1995). P. 16
  • Дж. Займан. Электроны и фотоны. Наука, М. (1962). 488 с
  • J. Callawat. Phys. Rev. 113, 1046 (1959)
  • Б.М. Могилевская, А.Ф. Чудновский. Теплопроводность полупроводников. Нвка, М. (1972). 536 с
  • О. Маделунг. Теория твердого тела. Наука, М. (1980). 416 с
  • J.R. Drabble, R. Wolfe. Proc. Phys. Soc. B 69, 1101 (1956)
  • Ю.И. Равич. Аморфные тела, сплавы и неоднородне среды. СПбГТУ, СПб (1995). 58 с
  • J.W. Sharp, S.L. Poon, H.J. Goldsmid. Phys. Status Solidi A 187, 507 (2001)
  • Л.Н. Лукьянова, В.А. Кутасов, П.П. Константинов, В.В. Попов. ФТТ 52, 8, 1492 (2010)
  • M. Stordeur, M. Stoelzer, H. Sobotta, V. Riede. Phys. Status Solidi B 150, 165 (1988)
  • Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi-=SUB=-2-=/SUB=-Te-=SUB=-3-=/SUB=-. Наука, М. (1972). 320 с
  • K. Stecker, H. Sussmann, W. Eichler, W. Heiliger, M. Stordeur. Wiss. Z. Martin-Luther-Univ. Halle/Wittenberg, Math-Naturwiss. R 27, 5, 5 (1978)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.