Вышедшие номера
Влияние рассеяния на границах на теплопроводность наноструктурированного полупроводникового материала на основе твердого раствора BixSb2-xTe3
Булат Л.П.1, Драбкин И.А.2, Каратаев В.В.2, Освенский В.Б.2, Пшенай-Северин Д.А.3
1Санкт-Петербургский государственный университет низкотемпературных и пищевых технологий, Санкт-Петербург, Россия
2Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет", Москва, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: bulat@gunipt.spb.ru
Поступила в редакцию: 24 декабря 2009 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.

Теоретически и экспериментально исследовано изменение электропроводности и теплопроводности в наноструктурированном материале на основе твердых растворов BixSb2-xTe3. Влияние граничного рассеяния учитывалось путем введения механизма рассеяния с постоянной длиной свободного пробега, равной размеру наночастиц. Сравнения с результатами измерений показали, что, используя только параметры исходного твердого раствора и составляющих его чистых компонентов, удается удовлетворительно описать зависимости электро-, и теплопроводности от размера наночастиц, полученные экспериментально. Оценки показали, что в наноструктурированных материалах решеточная теплопроводность может быть уменьшена на 20-30% по сравнению с исходным твердым раствором при размерах наночастиц порядка 20 nm, что должно благоприятно сказаться на величине термоэлектрической эффективности. Работа выполнена при поддержке Роснауки (контракты N 2008-03-1.3-25-02, N 02.513.12.3062) и Фонда содействия отечественной науке.
  1. M.S. Dresselhaus, G. Chen, M.Y. Tang, R. Yang, H. Lee, D. Wang, Zh. Ren, J.P. Fleurial, P. Gogna. Adv. Mater. 19, 1043 (2007)
  2. T.C. Harman, P.J. Taylor, M.P. Walsh, B.E. LaForge. Science 297, 2229 (2002)
  3. R. Venkatasubramanian, E. Silvota, T. Colpitts, B. O'Quinn. Nature 413, 597 (2001)
  4. T.C. Harman, P.J. Taylor, D.L. Spears, M.P. Walsh. J. Electron. Mater. 29, L 1-4 (2000)
  5. B. Poudel, Q. Hao, T. Ma, Y. Lan, A. Minnich, B. Yu, X. Yan, D. Wang, A. Muto, D. Vashaee, X. Chen, J. Liu, M.S. Dresselhaus, G. Chen, Zh. Ren. Science 320, 634 (2008)
  6. L.P. Bulat, V.B. Osvensky, G.I. Pivovarov, A.A. Snarskii, E.V. Tatyanin, A.A.O. Tay. Proc. VI Eur. Conf. on Thermoelectrics (2008). P. I2-1
  7. Л.П. Булат, И.А. Драбкин, В.Б. Освенский, Г.И. Пивоваров, А.А. Снарский, Е.В. Татьянин. Докл. XI Межгос. сем. "Термоэлектрики и их применения". ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, СПб (2008). С. 39
  8. L.P. Bulat, V.T. Bublik, I.A. Drabkin, V.V. Karatayev, V.B. Osvensky, G.I. Pivovarov, D.A. Pshenai-Severin, E.V. Tatyanin, N.Yu. Tabachkova. J. Thermoelectric. 3, 67 (2009)
  9. H.J. Goldsmid, H.B. Lyon, E.H. Volckmann. Proc. 14th Int. Conf. Thermoelectrics. IEEE, St. Petersburg (1995). P. 16
  10. Дж. Займан. Электроны и фотоны. Наука, М. (1962). 488 с
  11. J. Callawat. Phys. Rev. 113, 1046 (1959)
  12. Б.М. Могилевская, А.Ф. Чудновский. Теплопроводность полупроводников. Нвка, М. (1972). 536 с
  13. О. Маделунг. Теория твердого тела. Наука, М. (1980). 416 с
  14. J.R. Drabble, R. Wolfe. Proc. Phys. Soc. B 69, 1101 (1956)
  15. Ю.И. Равич. Аморфные тела, сплавы и неоднородне среды. СПбГТУ, СПб (1995). 58 с
  16. J.W. Sharp, S.L. Poon, H.J. Goldsmid. Phys. Status Solidi A 187, 507 (2001)
  17. Л.Н. Лукьянова, В.А. Кутасов, П.П. Константинов, В.В. Попов. ФТТ 52, 8, 1492 (2010)
  18. M. Stordeur, M. Stoelzer, H. Sobotta, V. Riede. Phys. Status Solidi B 150, 165 (1988)
  19. Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3. Наука, М. (1972). 320 с
  20. K. Stecker, H. Sussmann, W. Eichler, W. Heiliger, M. Stordeur. Wiss. Z. Martin-Luther-Univ. Halle/Wittenberg, Math-Naturwiss. R 27, 5, 5 (1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.