Вышедшие номера
Особенности возникновения сегнетоэлектрической фазы в политипах кристаллов TlGaSe2
Боровой Н.А.1, Гололобов Ю.П.2, Горб А.Н.1, Исаенко Г.Л.2
1Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
2Национальный транспортный университет, Киев, Украина
Email: gololo@ukr.net
Поступила в редакцию: 11 ноября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.

Обнаружено, что политипия слоистых кристаллов TlGaSe2 существенным образом влияет на температурное положение фазовых превращений, а также на механизм возникновения в этих сегнетоэлектриках полярного состояния. В частности, показано, что в политипе C-TlGaSe2 сегнетоэлектрический фазовый переход является несобственным и происходит при температуре Tc~108 K, в то же время в политипе 2C-TlGaSe2 такой переход является собственным и происходит при более высокой температуре Tc~111 K. Сделан вывод о том, что необходимым этапом исследования кристаллов TlGaSe2 является выяснение принадлежности образцов к соответствующему политипу.
  1. Ю.П. Гололобов, В.М. Перга, И.Н. Саливонов, Е.Е. Щиголь. ФТТ 34, 115 (1992)
  2. F. Salehli, Y. Bakis, M.-H.Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov. Semicond. Sci. Technol. 22, 843 (2007)
  3. M.-H.Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov. ФТТ 50, 1169 (2008)
  4. E. Senturk. Phys. Lett. 135, 1 (2005)
  5. A.M. Panich, D.C. Ailion, S. Kashida, N. Gasanly. Phys. Rev. B 69, 245 319 (2004)
  6. А.А. Волков, Ю.Г. Гончаров, Г.В. Козлов, С.П. Лебедев, А.М. Прохоров, Р.А. Алиев, К.Р. Аллахвердиев. Письма в ЖЭТФ 37, 517 (1983)
  7. Е.А. Виноградов, В.М. Бурлаков, М.Р. Яхьеев, А.П. Рябов, Н.Н. Мельник, Б.С. Шмаров, А.А. Аникьев. ФТТ 30, 2847 (1988)
  8. В.А. Алиев, К.Р. Аллахвердиев, А.И. Баранов, Н.Р. Иванов, Р.М. Сардарлы. ФТТ 26, 1271 (1984)
  9. С.Б. Вахрушев, Б.Е. Квятковский, Н.М. Окунева, К.Р. Аллахвердиев, Р.М. Сардарлы. Препринт ФТИ АН СССР N 886. Л. (1984). 12 с
  10. S. Kashida, Y. Kobayashi. J. Korean Phys. Soc. 32, 40 (1998)
  11. D.F. Mc Morrow, R.A. Cowley, P.D. Hatton, J. Banys. J. Phys.: Cond. Matter 2, 3699 (1990)
  12. А.У. Шелег, О.Б. Плющ, В.А. Алиев. Кристаллография 44, 873 (1999)
  13. К.Р. Аллахвердиев, С.С. Гусейнов, Т.Г. Мамедов, М.М. Тагиев, М.М. Ширинов. Неорган. материалы 25, 1858 (1989)
  14. Б.С. Кульбужев, Л.М. Рабкин, В.И. Торгашев, Ю.И. Юзюк. ФТТ 30, 195 (1988)
  15. M.-H.Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, F. Salehli, С.С. Бабаев, Т.Г. Мамедов, А.И. Наджафов, Г.М. Шарифов. ФТТ 51, 533 (2009)
  16. К.Р. Аллахвердиев, Н.Д. Ахмед-заде, Т.Г. Мамедов, Т.С. Мамедов, М.-Г.Ю. Сеидов. ФНТ 26, 76 (2000)
  17. R.M. Sardarly, O.A. Samedov, I.Sh. Sadykhov. Solid State Commun. 77, 453 (1991)
  18. V.P. Aliyev, S.S. Babaev, T.G. Mammedov, M.Yu. Seidov, R.A. Suleymanov, F.A. Mikailov. Transactions of Azerbaijan National Academy of Sciences. Series of physical-mathematical and technical sciences. Physics and Astronomy 24, 2, 3 (2004)
  19. Н.А. Боровой, Ю.П. Гололобов, Г.Л. Исаенко, Н.Б. Степанищев. ФТТ 51, 2229 (2009)
  20. А.У. Шелег, К.В. Иодковская, Н.Ф. Кирилович. ФТТ 40, 1328 (1998)
  21. А.А. Волков, Ю.Г. Гончаров, Г.В. Козлов, Р.М. Сардарлы. Письма в ЖЭТФ 39, 293 (1984)
  22. М.-Г.Ю. Сеидов, Р.А. Сулейманов, С.С. Бабаев, Т.Г. Мамедов, Г.М. Шарифов. ФТТ 50, 105 (2008)
  23. Н.А. Боровой, Ю.П. Гололобов, А.Н. Горб, Г.Л. Исаенко. ФТТ 50, 1866 (2008)
  24. С.Г. Абдуллаева, Н.Т. Мамедова, Ш.С. Мамедов, Ф.А. Мустафаев. ФТТ 29, 3147 (1987)
  25. F.A. Mikailov, E. Basaran, E. Senturk, L. Tumbek, T.G. Mammedov, V.P. Aliev. Phase Trans. 76, 1057 (2003)
  26. В.А. Головко. ЖЭТФ 94, 182 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.