Вышедшие номера
Особенности возникновения сегнетоэлектрической фазы в политипах кристаллов TlGaSe2
Боровой Н.А.1, Гололобов Ю.П.2, Горб А.Н.1, Исаенко Г.Л.2
1Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
2Национальный транспортный университет, Киев, Украина
Email: gololo@ukr.net
Поступила в редакцию: 11 ноября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.

Обнаружено, что политипия слоистых кристаллов TlGaSe2 существенным образом влияет на температурное положение фазовых превращений, а также на механизм возникновения в этих сегнетоэлектриках полярного состояния. В частности, показано, что в политипе C-TlGaSe2 сегнетоэлектрический фазовый переход является несобственным и происходит при температуре Tc~108 K, в то же время в политипе 2C-TlGaSe2 такой переход является собственным и происходит при более высокой температуре Tc~111 K. Сделан вывод о том, что необходимым этапом исследования кристаллов TlGaSe2 является выяснение принадлежности образцов к соответствующему политипу.