Вышедшие номера
Магнитная анизотропия в структурах IrMn/Co с альтернативной последовательностью осаждения антиферромагнитного и ферромагнитного слоев
Хоменко Е.В.1, Чеченин Н.Г.1, Джунь И.О.1, Перов Н.С.2, Самсонова В.В.2, Гойхман А.Ю.3, Зенкевич А.В.3
1Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3Московский инженерно-физический институт, Москва, Россия
Email: chechenin@sinp.msu.ru
Поступила в редакцию: 26 ноября 2009 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.

Исследованы условия создания и величины одноосной и однонаправленной магнитных анизотропий в структурах IrMn/Co с альтернативной последовательностью нанесения антиферромагнитного (АФ) и ферромагнитного (Ф) слоев при термическом отжиге и охлаждении во внешнем магнитном поле. Обнаружено, что однонаправленная анизотропия (обменное смещение) возникает в структурах с АФ-слоем, нанесенным на Ф-слой (TS-структура), при температуре отжига выше 100oC. В структурах с Ф-слоем, нанесенным на АФ-слой (BS-структура), обменное смещение не возникает в исследованном диапазоне температур отжига. Обсуждаются возможные причины этого эффекта и соотношение температуры возникновения обменного смещения и температуры Нееля. Работа поддержана Российским агентством по науке и инновациям г/к N 02.513.11.3178, программой НШ-485.2008.2, г/к N 02.740.11.0242.