Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Отклик емкости планарной гетероструктуры La0.67Ca0.33MnO3/SrTiO3/ La0.67Ca0.33MnO3 на электрическое поле
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: yu.boikov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 ноября 2009 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2010 г.
Метод лазерного испарения был использован, чтобы интегрировать манганитные пленочные электроды и промежуточный слой титаната стронция в эпитаксиальной гетероструктуре La0.67Ca0.33MnO3/(1000 nm)SrTiO3/ La0.67Ca0.33MnO3 (LCMO/STO/LCMO). При T=300 K механические напряжения в слое STO в значительной степени релаксировали, а электроды LCMO были двухосно латерально растянуты, причем искажение элементарной ячейки верхнего электрода (a||/a normal ~1.026) было существенно больше, чем нижнего (~1.008) (a|| и a normal - параметры элементарной ячейки в плоскости подложки и вдоль нормали к ее поверхности соответственно). Обратная величина емкости C сформированных плоскопараллельных пленочных конденсаторов LCMO/STO/LCMO практически линейно возрастала с увеличением температуры T в интервале 50-250 K. При T<100 K C уменьшалась примерно на 50% в электрическом поле E=40 kV/cm. После изменения E в последовательности 0+100 kV/cm 0 емкость C уменьшалась примерно на 3%, а максимум на зависимости C(E, T>200 K) сдвигался примерно на 9 kV/cm относительно точки E=0. Финансовая поддержка для проведения данных исследований частично получена из проекта МНТЦ 3743 и проекта РФФИ N 08-02-01352-a.
- M. Pannetier, C. Fermon, G.Le Goff, J. Simola, T. Kerr. Science 304, 5677, 1648 (2004)
- X. Chen, N.J. Wu, J. Strozier, A. Ignatiev. Appl. Phys. Lett. 87, 23, 233 506 (2005)
- Yu.A. Boikov, T. Claeson. Phys. Rev. B 70, 18, 184 433 (2004)
- A. Baikalov, Y.Q. Wang, B. Shen, B. Lorenz, S. Tsui, Y.Y. Sun, Y.Y. Xue, C.W. Chu. Appl. Phys. Lett. 83, 5, 957 (2003)
- Yu.A. Boikov, R. Gunnarsson, T. Claeson. J. Appl. Phys. 96, 1, 435 (2004)
- A. Ohtomo, H.Y. Hwang. Nature 427, 6973, 423 (2004)
- Yu.A. Boikov, B.M. Goltsman, V.K. Yarmarkin, V.V. Lemanov. Appl. Phys. Lett. 78, 24, 3866 (2001)
- H.L. Ju, K.M. Krishnan, D. Leberman. J. Appl. Phys. 83, 11, 7073 (1998)
- N.-C. Yeh, R.P. Vasquez, J. Huynh, S.M. Maurer, G. Beach, D.A. Beam. J. Appl. Phys. 81, 8, 5499 (1997)
- S. Thiel, G. Hammerl, A. Schmehl, C.W. Schneider, J. Mannhart. Science 313, 5795, 1942 (2006)
- C.J. Lu, Z.L. Wang, C. Kwon, Q.X. Jia. J. Appl. Phys. 88, 7, 4032 (2000)
- D.Y. Wang, J. Wang, H.L.W. Chan, C.L. Choy. J. Appl. Phys. 101, 4, 043 515-1 (2007)
- R.W.J. Wickoff. Crystal structure. 2nd ed. Interscience Publ., N.Y. (1964), V. 2. P. 394
- B.C. Chakoumakos, D.G. Scholm, M. Urbanik, J. Luine. J. Appl. Phys. 83, 4, 1979 (1998)
- D. Dai, J. Zhang, H.A. Mook, S.-H. Lion, P.A. Dowben, E.W. Plummer. Phys. Rev. B 54, 6, R 3694 (1996)
- R.C. Neville, B. Hoeneisen, C.A. Mead. J. Appl. Phys. 43, 5, 2124 (1972)
- H.Y. Ku, F.G. Ullman. J. Appl. Phys. 35, 2, 265 (1964)
- Р. Смит. Полупроводники. 2-е изд. Мир, М. (1982). С. 241
- D.W. Reagon, S.Y. Lee, Y. Li, Q.X. Jia. J. Appl. Phys. 95, 12, 7971 (2004)
- J. Robertson. J. Vac. Sci. Technol. B 18, 3, 1785 (2000)
- Ю.А. Бойков, В.А. Данилов. Письма в ЖТФ 31, 1, 73 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
