Вышедшие номера
Отклик емкости планарной гетероструктуры La0.67Ca0.33MnO3/SrTiO3/ La0.67Ca0.33MnO3 на электрическое поле
Бойков Ю.А.1, Данилов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: yu.boikov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 ноября 2009 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2010 г.

Метод лазерного испарения был использован, чтобы интегрировать манганитные пленочные электроды и промежуточный слой титаната стронция в эпитаксиальной гетероструктуре La0.67Ca0.33MnO3/(1000 nm)SrTiO3/ La0.67Ca0.33MnO3 (LCMO/STO/LCMO). При T=300 K механические напряжения в слое STO в значительной степени релаксировали, а электроды LCMO были двухосно латерально растянуты, причем искажение элементарной ячейки верхнего электрода (a||/a normal ~1.026) было существенно больше, чем нижнего (~1.008) (a|| и a normal --- параметры элементарной ячейки в плоскости подложки и вдоль нормали к ее поверхности соответственно). Обратная величина емкости C сформированных плоскопараллельных пленочных конденсаторов LCMO/STO/LCMO практически линейно возрастала с увеличением температуры T в интервале 50-250 K. При T<100 K C уменьшалась примерно на 50% в электрическом поле E=40 kV/cm. После изменения E в последовательности 0+100 kV/cm 0 емкость C уменьшалась примерно на 3%, а максимум на зависимости C(E, T>200 K) сдвигался примерно на 9 kV/cm относительно точки E=0. Финансовая поддержка для проведения данных исследований частично получена из проекта МНТЦ 3743 и проекта РФФИ N 08-02-01352-a.
  1. M. Pannetier, C. Fermon, G.Le Goff, J. Simola, T. Kerr. Science 304, 5677, 1648 (2004)
  2. X. Chen, N.J. Wu, J. Strozier, A. Ignatiev. Appl. Phys. Lett. 87, 23, 233 506 (2005)
  3. Yu.A. Boikov, T. Claeson. Phys. Rev. B 70, 18, 184 433 (2004)
  4. A. Baikalov, Y.Q. Wang, B. Shen, B. Lorenz, S. Tsui, Y.Y. Sun, Y.Y. Xue, C.W. Chu. Appl. Phys. Lett. 83, 5, 957 (2003)
  5. Yu.A. Boikov, R. Gunnarsson, T. Claeson. J. Appl. Phys. 96, 1, 435 (2004)
  6. A. Ohtomo, H.Y. Hwang. Nature 427, 6973, 423 (2004)
  7. Yu.A. Boikov, B.M. Goltsman, V.K. Yarmarkin, V.V. Lemanov. Appl. Phys. Lett. 78, 24, 3866 (2001)
  8. H.L. Ju, K.M. Krishnan, D. Leberman. J. Appl. Phys. 83, 11, 7073 (1998)
  9. N.-C. Yeh, R.P. Vasquez, J. Huynh, S.M. Maurer, G. Beach, D.A. Beam. J. Appl. Phys. 81, 8, 5499 (1997)
  10. S. Thiel, G. Hammerl, A. Schmehl, C.W. Schneider, J. Mannhart. Science 313, 5795, 1942 (2006)
  11. C.J. Lu, Z.L. Wang, C. Kwon, Q.X. Jia. J. Appl. Phys. 88, 7, 4032 (2000)
  12. D.Y. Wang, J. Wang, H.L.W. Chan, C.L. Choy. J. Appl. Phys. 101, 4, 043 515-1 (2007)
  13. R.W.J. Wickoff. Crystal structure. 2-=SUP=-nd-=/SUP=- ed. Interscience Publ., N.Y. (1964), V. 2. P. 394
  14. B.C. Chakoumakos, D.G. Scholm, M. Urbanik, J. Luine. J. Appl. Phys. 83, 4, 1979 (1998)
  15. D. Dai, J. Zhang, H.A. Mook, S.-H. Lion, P.A. Dowben, E.W. Plummer. Phys. Rev. B 54, 6, R 3694 (1996)
  16. R.C. Neville, B. Hoeneisen, C.A. Mead. J. Appl. Phys. 43, 5, 2124 (1972)
  17. H.Y. Ku, F.G. Ullman. J. Appl. Phys. 35, 2, 265 (1964)
  18. Р. Смит. Полупроводники. 2-е изд. Мир, М. (1982). С. 241
  19. D.W. Reagon, S.Y. Lee, Y. Li, Q.X. Jia. J. Appl. Phys. 95, 12, 7971 (2004)
  20. J. Robertson. J. Vac. Sci. Technol. B 18, 3, 1785 (2000)
  21. Ю.А. Бойков, В.А. Данилов. Письма в ЖТФ 31, 1, 73 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.