Вышедшие номера
Анализ дефектности опалоподобных фотонных кристаллов, синтезированных на проводящих подложках
Васильева А.В.1, Григорьев С.В.1, Григорьева Н.А.2, Мистонов А.А.2, Напольский К.С.3, Саполетова Н.А.3, Петухов А.В.4, Белов Д.В.4, Елисеев А.А.3, Чернышов Д.Ю.5, Окороков А.И.1
1Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
4Debye Institute for Nanomaterials Science, Utrecht University, Utrecht, The Netherlands
5European Synchrotron Radiation Facility, Grenoble, France
Email: vasilieva@lns.pnpi.spb.ru
Выставление онлайн: 19 апреля 2010 г.

Методом малоугловой дифракции синхротронного излучения с микрорадианным разрешением исследованы тип и степень дефектности опалоподобных фотонных кристаллов на проводящих подложках. Показано, что самосборка полистирольных сфер методом вертикального осаждения на подложку слюда/Au приводит к образованию ГЦК-структуры, а на стеклянную подложку с проводящим покрытием In2O3(SnO2) - к случайной плотнейшей гексагональной упаковке. Работа выполнена при поддержке Федерального центра научно-технических программ (гранты N 02.513.11.3120, 02.513.11.3318 и 02.513.11.3186).