Издателям
Вышедшие номера
Внутрислоевой фотоупругий эффект в кристаллах GaSe
Аверкиев Н.С.1, Илисавский Ю.В.1, Кулакова Л.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 июля 1996 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1996 г.

Методами брэгговской дифракции света на звуке и наведенного двулучепреломления получены значения внутрислоевых компонент тензора фотоупругости (p11, p21, p66) как вблизи края фундаментального оптического поглощения, так и вдали от него. Данные анализируются в рамках модели виртуальных экситонных переходов. Из сравнения с экспериментом получены значения констант деформационного потенциала, в том числе отвечающих за обменное расщепление, а также энергии непрямого экситонного перехода.
  1. Г.Л. Беленький, В.Б. Стопачинский. УФН 140, \it 2, 233 (1983)
  2. M. Schluter. Nuovo Cimento 13, \it 2, 313 (1973); C. Hamaguchi, K. Wasa, M. Yamawaki. Phonon Scattering in Condensed Matter/ Ed. H.J. Maris. Plen. Press. N.Y.--London (1979). P. 441--444
  3. Н.С. Аверкиев, Ю.В. Илисавский, Л.А. Кулакова. Акуст. журн. 40, \it 1, 151 (1994)
  4. R.W. Dixon. IEEE Tras. QE-3, 87 (1967)
  5. C.W. Higginbotham, M. Cardona, F.H. Pollak. Phys. Rev. 184, 821 (1969)
  6. Н.С. Аверкиев, Ю.В. Илисавский, Л.А. Кулакова. ФТТ 38, \it 12, 3557 (1996)
  7. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. Наука. М. (1972)
  8. А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников. ФМ. М. (1978)
  9. P.C. Leung, G. Andermann, W.G. Spitzer, C.A. Mead. J. Phys. Chem. Sol. 27, \it 1, 849 (1966)
  10. Н.П. Гавалешко, М.В. Курик, Г.Б. Делевский, З.Д. Ковалюк, А.И. Савчук, И.Ф. Скицко. УФЖ 19, \it 10, 1741 (1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.