Вышедшие номера
Влияние давления на изменение истинной и релаксационной частей Tc системы 1--2--3 при замещениях в редкоземельной и BaO-плоскостях
Дьяконов В.П.1, Левченко Г.Г.1, Шимчак Г.1, Гладчук Л.2
1Донецкий физико-технический институт Академии наук Украины, Донецк, Украина
2Институт физики Польской академии наук, 02-668 Варшава, Польша
Поступила в редакцию: 13 июня 1996 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1996 г.

Проведено экспериментальное исследование влияния давления на истинную и релаксационную части температуры сверхпроводящего перехода (Tc) системы 1-2-3 при замещении иттрия редкоземельным ионом и бария стронцием. Показано, что замещение редкоземельного иона слабо влияет на релаксационную часть изменения Tc под давлением и сильно на истинную. Замещение бария стронцием приводит к сильному изменению релаксационной части Tc под давлением. Полученный результат объяснен влиянием замещения редкоземельного иона на комплекс CuO2-RE и стронция на степень упорядочения кислорода в плоскости CuO.