Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электронное разделение фаз в квазидвумерных системах типа ВТСП

Нагаев Э.Л.¹

¹Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина РАН, Троицк, Москва, Россия Institute for High Pressure Physics, Russian Academy of Sciences, Troitsk, Moscow, Russia

Institute for High Pressure Physics, Russian Academy of Sciences, Troitsk, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 29 апреля 1996 г.

Выставление онлайн: 20 октября 1996 г.

PDF версия

Исследовано электронное разделение фаз в квазидвумерных вырожденных антиферромагнитных полупроводниках типа ВТСП. Независимо от конкретного типа разделения фаз из-за кулоновского взаимодействия обе фазы перемешаны, образуя сложную геометрию. При достаточно больших концентрациях носителей все или почти все они оказываются сосредоточенными в кристаллических плоскостях, образующих одномерную сверхрешетку внутри кристалла. Эти плоскости отделены друг от друга изолирующими плоскостями или плоскостями в смешанном состоянии.

Э.Л. Нагаев. Письма в ЖЭТФ 16, 558 (1972); В.А. Кашин, Э.Л. Нагаев. ЖЭТФ 66, 2105 (1974)
A.A. Kastalskii, S.B. Maltsev. Solid State Commun. 17, 107 (1975); B. Vengalis, A. Kastalskii. Solid State Commun. 30, 13 (1979)
Э.Л. Нагаев. Физика магнитных полупроводников. Наука. М. (1979); E.L. Nagaev. Physica of Magnetic Semiconductors. Mir. M. (1983)
E.L. Nagaev. Physica C 205, 91 (1993)
J. Vitins, P. Wachter. Phys. Rev. B 12, 3829 (1972); J. Vitins, P. Wachter. Solid State Commun. 13, 1273 (1973)
Y. Shapira, S. Foner, N. Oliveira, Jr. Phys. Rev. B 10, 4765 (1974)
N. Oliveira, Jr, S. Foner, Y. Shapira, T. Reed. Phys. Rev. B 5, 2105 (1972); Y. Shapira, S. Foner, N. Oliveira, Jr, T. Reed. Phys. Rev. B 5, 2647 (1972)
E.L. Nagaev. From Magnetic Semiconductors to High-T_c Superconductors. Cambridge University Press (1996)
Э.Л. Нагаев. УФН 165, 529 (1995)
R. Balian, C. Bloch. Ann. Phys. 60, 401 (1970)
Э.Л. Нагаев, А.И. Подельщиков. ФТТ 23, 3, 859 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель