Фотопроводимость легированных кристаллов Bi 12SiO 20
Панченко Т.В.1, Янчук З.З.1
1Днепропетровский государственный университет, Днепропетровск, Украина
Поступила в редакцию: 16 января 1996 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1996 г.
Исследованы характеристики фотопроводимости кристаллов Bi12SiO20, легированных ионами Ga, Cr, Mn, Zn, Cd.
- S.L. Hou, R.B. Lauer, R.E. Aldrich. J. Appl. Phys. 44, \it6, 2652 (1973)
- А.Т. Анистратов, А.В. Воробьев, Ю.Н. Грехов, Н.Г. Малышевский. ФТТ 22, \it6, 1865 (1980)
- Ю.Л. Копылов, В.Б. Кравченко, В.В. Куча. Микроэлектроника 11, \it5, 477 (1982)
- М.Г. Ермаков, А.В. Хомич, П.И. Перов, И.А. Горн, В.В. Куча. Микроэлектроника 11, \it5, 424 (1982)
- Т.В. Панченко, А.Ю. Кудзин, В.Х. Костюк. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 19, \it7, 1144 (1983)
- V.II. Berezkin, A.I. Grachev. Phys. Stat. Sol. (a) 82, K95 (1984)
- В.А. Гусев, С.И. Деменко, В.А. Детиненко, В.К. Малиновский. Автометрия, \it1, 108 (1984)
- И.А. Карпович, Е.Е. Колосов, Е.И. Леонов, В.М. Орлов, М.В. Шилова. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 21, \it6, 965 (1985)
- И.С. Захаров, П.А. Петухов, В.М. Скориков, М.Г. Кистенева, Ю.Ф. Каргин. Изв. вузов МВ и ССО СССР. Физика, \it6, 85 (1985)
- М.В. Шилова, В.М. Орлов, Е.И. Леонов, Е.Е. Колосов, И.А. Карпович. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 22, \it1, 103 (1986)
- О.А. Гудаев, В.А. Гусев, Э.Э. Пауль. ФТТ 28, \it4, 1110 (1986)
- B.C. Grabmaier, R. Oberschmid. Phys. Stat. Sol. (a) 96, 199 (1986)
- И.С. Захаров. ФТТ 27, 4, 1062 (1985)
- С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М. (1963). 494 с
- В.Е. Лашкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейкман. Неравновесные процессы в полупроводниках. Наукова думка. Киев. (1981). 264 с
- R.B. Lauer. J. Appl. Phys. 45, 4, 1794 (1974)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук