Дислокационная структура пластически деформированных слоистых монокристаллов LiF--LiF : Mg 2+
Никифоров А.В.1, Клявин О.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 апреля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1996 г.
Исследована дислокационная структура модельных композитов - слоистых монокристаллов (СМ) LiF-LiF : Mg2+, деформированных на малые степени деформации. Обнаружено, что пластические сдвиги возникают на границах раздела чистых и легированных магнием слоев и формируются в чистых слоях в виде полос скольжения (ПС). Плотность дислокаций в винтовых ПС, измеренная в примесных слоях, в 5-6 раз меньше, чем в однородных кристаллах LiF такого же состава, а в краевых ПС она практически не изменяется при переходе из чистых в легированные слои. Обнаружено изменение характера распределения винтовых дислокаций на границах раздела чистых и примесных слоев. Делается вывод о том, что дислокационная структура в СМ формируется исключительно в чистых слоях путем зарождения свежих дислокаций из источников, генерирующих скопления дислокаций одного знака. Интенсивного размножения дислокаций на точечных дефектах в примесных слоях, как это имеет место в легированных однородных монокристаллах, не происходит.
- А.В. Никифоров, Ю.Г. Носов, М.Б. Мухамеджанова, О.В. Клявин, П.И. Антонов. ФТТ 29, \it 2, 485 (1987)
- А.В. Никифоров, Ю.Г. Носов, М.Б. Мухамеджанова, О.В. Клявин. ФТТ 29, \it 12, 3611 (1987)
- А.В. Никифоров, Ю.Г. Носов, О.В. Клявин, П.И. Антонов, М.Б. Мухамеджанова. Изв. АН СССР. Сер. физ. 52, \it 10, 2025 (1988)
- А.В. Никифоров, О.В. Клявин. ФТТ 38, 9, 2770 (1996)
- Б.И. Смирнов, Т.В. Самойлова, Е.А. Блехер. ФТТ 13, \it 11, 3295 (1971)
- Б.И. Смирнов. Дислокационная структура и упрочнение кристаллов. Л. Наука. (1981). 235 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.