Вышедшие номера
Магнитосопротивление иода при высоком давлении
Щенников В.В.1
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 19 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1996 г.

Измерены сопротивление R, термоэдс S и поперечное магнитосопротивление MR образцов иода при давлении P до 25 GPa в области перехода полупроводник-металл. Величины R и S уменьшаются с ростом давления вследствие сужения запрещенной зоны. В полупроводниковой фазе с уменьшенной давлением энергетической щелью впервые измерено MR. При T=77 K обнаружен отрицательный эффект (MR<0), в связи с чем делается вывод о низкой подвижности дырок. В металлической фазе (P>18 GPa) сохраняется дырочный тип проводимости, величина S при P=25 GPa лежит в интервале (+20)-(+40) mu V/K; эффект MR отсутствует (MR<0.0001).