Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Люминесценция и рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия поверхности GaAs, сульфидированного в спиртовых растворах
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 4 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1996 г.
Методами фотолюминесценции и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследовались свойства GaAs, пассивированного в растворах сульфида натрия как в воде, так и в различных спиртах. Установлено, что выбор растворителя сильно влияет на химический состав поверхности и на фотолюминесцентные свойства пассивированного GaAs. С уменьшением диэлектрической проницаемости сульфидного раствора возрастает эффективность сульфидной пассивации, что проявляется в возрастании интенсивности краевой фотолюминесценции пассивированного полупроводника. Уменьшение диэлектрической проницаемости сульфидного раствора ведет к более эффективному удалению окислов с поверхности GaAs, а также к более эффективной ассоциации ионов серы с поверхностными атомами полупроводника.
- C.J. Sandroff, R.N. Nottenburg, J.-C. Bischoff, R. Bhat. Appl. Phys. Lett. 51, \it 1, 33 (1987)
- M.S. Carpenter, M.R.Melloch, B.A. Cowans, Z. Dardas, W.N. Delgass. J. Vac. Sci. Technol. B 7, \it 4, 845 (1989)
- S. Shikata, H. Okada, H. Hayashi J. Appl. Phys. 69, \it 4, 2717 (1991)
- S. Kamiyama, Y. Mori, Y. Takahashi, K. Ohnaka. Appl. Phys. Lett. 58, \it 23, 2595 (1991)
- W.S. Hobson, U. Mohideen, S.J. Pearton, R.E. Slusher, F. Ren. Electron. Lett. 29, \it 25, 2199 (1993)
- T. Tiedje, K.M. Kolbow, D. Rogers, Z. Fu, W. Eberhardt. J. Vac. Sci. Technol. B 7, \it 4, 837 (1989)
- G.J. Hughes, L. Roberts, M.O. Henry, K. McGuigan, G.M. O'Connor, F.G. Anderson, G.P. Morgan, T. Glynn. Mater. Sci. Eng. B 9, 37 (1991)
- Y. Fukuda, M. Shimomura, N. Sanada, M. Nagoshi. J. Appl. Phys. 76, \it 6, 3632 (1994)
- S. Weiguo. Appl. Phys. A 52, 75 (1991)
- X.Y. Hou, W.Z. Cai, Z.Q. He, P.H. Hao, Z.S. Li, X.M. Ding, X. Wang. Appl. Phys. Lett. 60, \it 18, 2252 (1992)
- J. Yota, V.A. Burrows. J. Vac. Sci. Technol. A 11, \it 4, 1083 (1993)
- A.S. Weling, K.K. Kamath, P.R. Vaya. Thin Solid Films 215, 179 (1992)
- Y. Tao, A. Yelon, E. Sacher, Z.H. Lu, M.J. Graham. Appl. Phys. Lett. 60, \it 21, 2669 (1992)
- J.L. Leclercq, E. Bergignat, G. Hollinger. Sem. Ssi. \& Technol. 10, \it 1, 95 (1995)
- Z.S. Li, W.Z. Cai, R.Z. Su, G.S. Dong, D.M. Huang, X. Ding, X.Y. Hou, X. Wang. Appl. Phys. Lett. 64, \it 25, 3425 (1994)
- S.R. Lunt, P.G. Santangelo, N.S. Lewis. J. Vac. Sci. Technol. B 9, 2333 (1991)
- J.F. Dorsten, J.E. Maslar, P.W. Bohn. Appl. Phys. Lett. 66, \it 14, 1755 (1995)
- K. Asai. T. Miyashita, K. Ishigure, S. Fukatsu. Surf. Sci. 306, 37 (1994)
- В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев, Е.Б. Новиков. ФТТ 35, \it 3, 653 (1993)
- Е.А. Мелвин-Хьюз. Равновесие и кинетика реакций в растворах. Химия. М. (1975). С. 470
- В.Н. Бессолов, А.Ф. Иванков, Е.В. Коненкова, М.В. Лебедев. Письма в ЖТФ 21, \it 1, 46 (1995)
- В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев, Ю.М. Шерняков, Б.В. Царенков. Письма в ЖТФ 21, \it 14, 53 (1995)
- J.F. Moulder, W.F. Stickle, P.E. Sobol, K.D. Bomben. Handbook of X-ray Photoelectron Spectroskopy / Ed. J.Chastain. Perkin-Elmer Corp. (1992)
- R.G. Pearson. J. Am. Chem. Soc. 85, 3533 (1963)
- R.G. Pearson. J. Chem. Educ. 64, 561 (1987); R.G. Parr, P.K. Chattaraj. J. Am. Chem. Soc. 113, 1854 (1991)
- J. Cioslowski, M. Martinov. J. Chem. Phys. 103, 4967 (1995)
- В.Н. Бессолов, А.Ф. Иванков, М.В. Лебедев. ФТТ 38, \it 2, 563 (1996)
- H. Gerischer. Surf. Sci. 18, 97 (1969)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
