Вышедшие номера
Люминесценция и рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия поверхности GaAs, сульфидированного в спиртовых растворах
Бессолов В.Н.1, Коненкова Е.В.1, Лебедев М.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1996 г.

Методами фотолюминесценции и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследовались свойства GaAs, пассивированного в растворах сульфида натрия как в воде, так и в различных спиртах. Установлено, что выбор растворителя сильно влияет на химический состав поверхности и на фотолюминесцентные свойства пассивированного GaAs. С уменьшением диэлектрической проницаемости сульфидного раствора возрастает эффективность сульфидной пассивации, что проявляется в возрастании интенсивности краевой фотолюминесценции пассивированного полупроводника. Уменьшение диэлектрической проницаемости сульфидного раствора ведет к более эффективному удалению окислов с поверхности GaAs, а также к более эффективной ассоциации ионов серы с поверхностными атомами полупроводника.