Люминесценция эпитаксиальных пленок твердых растворов AlN--GaN, выращенных на слоях нитрида галлия
Зубрилов А.С.1, Цветков Д.В.1, Николаев В.И.1, Никитина И.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.
Исследовалась катодолюминесценция вблизи края поглощения из эпитаксиальных слоев твердых растворов AlxGa(1-x)N (0<x<0.3), выращенных на микронном слое нитрида галлия на подложке 6H-SiC. Установлена зависимость энергии краевой полосы от состава твердого раствора. Рассмотрен вопрос о ее спектральном уширении.
- S. Strite, H.J. Morkoc. Vac. Sci. Technol. B10, \it 4, 1237 (1992)
- H. Morkoc, S. Strite, G.B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, M.J. Burns. Appl. Phys. 76, \it 3, 1363 (1994)
- I. Akasaki, H. Amano. J. Electrochem. Soc. 141, \it 8, 2266 (1994)
- S. Nakamura, T. Mukai, M.J. Senoh. J. Appl. Phys. 76, \it 12, 8189 (1994)
- Y. Koide, H. Itoh, M.R.H. Khan, K. Hiramatsu, N. Sawaki, I. Akasaki. J. Appl. Phys. 61, \it 9, 4540 (1987)
- S. Nakamura, Y. Harada, M. Senoh. Appl. Phys. Lett. 58, \it 18, 2021 (1991)
- N. Yoshimoto, T. Matsuoka, T. Sasaki, A. Katsui. J. Appl. Phys. Lett. 59, \it 18, 2251 (1991)
- V. Dmitriev, K. Irvine, G. Bulman, J. Edmond, A. Zubrilov, V. Nikolaev, I. Nikitina, D. Tsvetkov, A. Babanin, A. Sitnikova. Cryst. Growth. To be published
- S. Sakai, Y. Ueta, Y. Terauchi. Jpn. J. Appl. Phys. 32, \it 10, 4413 (1993)
- П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Справочник. Киев (1975). 704 с
- I. Akasaki, K. Hiramatsu, H. Amano. Memoris of the Faculty of Engineering, Nagoya University 43, \it 2, 147 (1991)
- S. Yoshida, S. Misawa, S. Gonda. J. Appl. Phys. 53, \it10, 6844 (1982)
- D.K. Wickenden, C.B. Bargeron, W.A. Bryden, J. Miragliotta, T. Kistenmacher. Appl. Phys. Lett. 65, \it 16, 2024 (1994)
- M.R.H. Khan, Y. Koide, H. Itoh, N. Sawaki, I. Akasaki. Sol. Stat. Commun. 60, \it 6, 509 (1986)
- L. Pavesi, M.J. Guzzi. J. Appl. Phys. 75, \it 10, 4779 (1994)
- E.O. Kane. J. Phys. Chem. Sol. 1, 4, 249 (1957)
- E.F. Schubert, E.O. Gobel, Y. Horikoshi, K. Ploog, H. Queisser. J. Phys. Rev. B30, \it 2, 813 (1984)
- C. Charreux, G. Guillot, A. Nouailhat. J. Appl. Phys. 60, \it 2, 768 (1986)
- J.P. Bergman, B. Monemar, H. Amano, I. Akasaki. Technical Digest of Int. Conf. SiC and Related Materials (ICSCRM'95). Kyoto. Japan (1995). P. 287
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.