Предельная растворимость мелких примесей в полупроводниках
Атабаев И.Г.1
1Научно-производственное объединение ''Физика Солнца'', Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 27 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.
Предложено выражение для термического термодинамического потенциала твердого раствора полупроводник-примесь-квазичастицы. Показано, что явление ретроградной растворимости мелкой примеси в полупроводниках связано с ростом концентрации собственных носителей ni при высоких температурах. Оценены термодинамические характеристики для различных примесей в кремнии.
- В.М. Глазов, В.М. Земсков. Физико--технические основы легирования полупроводников. Наука. М. (1967)
- Р.А. Свелин. Термодинамика твердого состояния. / Пер. с англ. Металлургия. М. (1968). С. 148
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Статистическая физика. Наука. М. (1982). С. 344
- В.В. Уфимцев, А.А. Лобанов. Гетерогенные равновесия в технологии полупроводниковых материалов. Металлургия. М. (1981)
- И.Г. Атабаев. В сб.: Первая нац. конф. "Дефекты в полупроводниках". СПб. (1992). С. 187
- Дж. Займан. Принципы теории твердого тела. Мир. М. (1974)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Мир. М. (1984). Т. 1. С. 187
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук