Вышедшие номера
Проявление структуры интерфейса в спектрах отражения короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs вблизи перехода тип I--тип II
Кочерешко В.П.1, Сандлер Г.Л.1, Давыдов В.Ю.1, Сурис Р.А.1, Белоусов М.В.2, Лаваллар П.3, Планель Р.4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3Groupe de Physique des Solides-UA17 CNRS-Universites, Paris 7, France
4Centre National de la Resherche Scintifique, Bagneux, France
Поступила в редакцию: 26 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.

В короткопериодных сверхрешетках GaAs/AlAs обнаружена и исследована многокомпонентная структура контура экситонного отражения, связанная с проявлением крупномасштабных монослойных флуктуаций периода сверхрешетки. Прослежена эволюция спектров отражения и фотолюминесценции при изменении периода сверхрешетки от целого числа монослоев N до следующего целого числа монослоев N+1. Показано, что интенсивность и форма контура экситонной фотолюминесценции в отличие от спектра отражения определяются динамикой заполнения локализованных состояний.