Фотоэлектрические свойства кристаллов Bi 12SiO 20
Панченко Т.В.1, Янчук З.З.2
1Днепропетровский государственный университет, Днепропетровск, Украина
2Киевский государственный университет, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 30 октября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.
Исследована стационарная фотопроводимость кристаллов Bi12SiO20. Наблюдались термическая активация и гашение фототока, сверхлинейность люкс-амперных характеристик, индуцированная примесная фотопроводимость, оптическое гашение собственной фотопроводимости. Результаты обсуждаются в рамках двухцентровой модели рекомбинации. Определены некоторые параметры r-центров медленной рекомбинации и t-уровней прилипания, а также энергия оптической активации ряда локальных уровней запрещенной зоны.
- Grousson R., Henry M., Mallik S. J. Appl. Phys. 56, \it 1, 224 (1984)
- Брыксин В.В., Коровин Л.И., Кузьмин Ю.И. ФТТ 28, \it 9, 2728 (1986)
- Астратов В.Н., Ильинский А.В., Кисилев В.А. ФТТ 28, \it 11, 3438 (1986)
- Брыксин В.В., Коровин Л.И., Кузьмин Ю.И. ФТТ 29, \it 5, 1323 (1987)
- Ильинский А.В., Куценко А.Б., Мельников М.Б. ФТТ 30, \it 6, 1780 (1988)
- Астратов В.Н., Ильинский А.В., Фурман А.С. ФТТ 31, \it 8, 212 (1989)
- Малиновский В.К., Гудаев О.А., Гусев В.А., Деменко С.И. Фотоиндуцированные процессы в силленитах Новосибирск (1990). 160 с
- Костюк В.Х., Кудзин А.Ю., Соколянский Г.Х. ФТТ 22, \it 8, 2454 (1980)
- Авраменко В.П., Кудзин А.Ю., Соколянский Г.Х. ФТТ 26, \it 2, 485 (1984)
- Atterd A.E. J. Appl. Phys. 69, 1, 44 (1991)
- Stohkendl F.P., Hellwarth R.W. J. Appl. Phys. 62, \it 6, 2450 (1987)
- Hou S.L., Lauer R.B., Aldrich R.E. J. Appl. Phys. 44, \it 6, 2652 (1973)
- Захаров И.С., Петухов П.А., Скориков В.М., Кистенева М.Г. Изв. вузов. Физика, \it 6, 85 (1985)
- Захаров И.С. ФТТ 27, 4, 1062 (1985)
- Камшилин А.А., Петров М.П. ФТТ 23, 10, 3110 (1981)
- Волосов А.Я., Костюк В.Х., Кудзин А.Ю., Соколянский Г.Х. ФТТ 23, \it 7, 2187 (1981)
- Карповч И.А., Колосов Е.Е., Леонов Е.И., Орлов В.М., Шилова М.В. Неорган. материалы 21, \it 6, 965 (1985)
- Лашкарев В.Е., Любченко А.В., Шейкман М.К. Неравновесные процессы в фотопроводниках. Киев (1981). 264 с
- Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках М. (1963). 404 с
- Реза А.А., Сенулене Д.В., Беляев В.А., Леонов Е.И. Письма в ЖТФ 5, \it 8, 465 (1979)
- Douglas G.G., Zitter R.N. J. Appl. Phys. 39, \it 4, 2133 (1968)
- Ермаков М.Г., Хомич А.В., Перов П.И., Горн И.А., Куча В.В. Микроэлектроника 11, \it 5, 424 (1982)
- Быковский Ю.А., Зуев В.В., Кирюхин А.Д., Скориков В.М., Чмырев В.И. ФТП 12, \it 10, 2004 (1978)
- Копылов Ю.Л., Кравченко В.Б., Куча В.В. Микроэлектроника 11, \it 5, 477 (1982)
- Prakash S.G., Mamedov A.M., Lebedeva N.N., Marduxaev A.R. Indian J. Pure Appl. Phys. 20, 306 (1982)
- Toyoda T., Maruyama S., Hakanishi H., Endo S., Irie T. J. Phys. D: Appl. Phys. 19, 909 (1986)
- Гудаев О.А., Седельников А.П. ФТТ 29, 3, 946 (1987)
- Любченко А.В., Шейкман М.К. УФЖ 18, 1, 133 (1973)
- Grabmaier B.C., Obershmid R. Phys. Stat. Sol. (a) 96, 199 (1986)
- Takamori T., Just D. J. Appl. Phys. 67, \it 2, 848 (1990)
- Lauer R.B. J. Appl. Phys. 45, 4, 1794 (1974)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук