Вышедшие номера
Сильновозбужденные состояния и зарождение дефектов в зонах концентраторов напряжений
Хон Ю.А.1, Панин В.Е.1
1Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 2 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.

Рассмотрено образование дефектов кристаллической решетки в зоне концентратора напряжений как локальное структурное превращение кристалла, протекающее в два этапа. На первом этапе кристалл переходит в сильновозбужденное состояние. Получена зависимость вероятности образования сильновозбужденного состояния от величины механических напряжений и энергии возбуждения этого состояния. Константа скорости реакции указанного процесса определяется формулой, подобной формуле Журкова. На втором этапе сильновозбужденное состояние под действием напряжений переходит в структурное состояние, соответствующее кристаллу с дефектом. Проанализировано влияние размера концентратора напряжений на концентрацию образующихся дефектов различного типа.