Сильновозбужденные состояния и зарождение дефектов в зонах концентраторов напряжений
Поступила в редакцию: 2 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.
Рассмотрено образование дефектов кристаллической решетки в зоне концентратора напряжений как локальное структурное превращение кристалла, протекающее в два этапа. На первом этапе кристалл переходит в сильновозбужденное состояние. Получена зависимость вероятности образования сильновозбужденного состояния от величины механических напряжений и энергии возбуждения этого состояния. Константа скорости реакции указанного процесса определяется формулой, подобной формуле Журкова. На втором этапе сильновозбужденное состояние под действием напряжений переходит в структурное состояние, соответствующее кристаллу с дефектом. Проанализировано влияние размера концентратора напряжений на концентрацию образующихся дефектов различного типа.
- Панин В.Е. В кн.: Физическая мезомеханика и компьютерное конструирование материалов. Новосибирск (1995). Т. 1
- Клингер М.И. УФН 146, 1, 105 (1988)
- Мелькер А.И., Иванов А.В. ФТТ 28, 11, 3396 (1986)
- Кусов А.А. ФТТ 21, 10, 3095 (1979)
- Петров В.А. ФТТ 25, 10, 3124 (1983)
- Веттегрень В.И. ФТТ 28, 11, 3417 (1986)
- Панин В.Е., Егорушкин В.Е., Хон Ю.А., Елсукова Т.Ф. Изв. вузов. Физика, \it 12, 5 (1982)
- Панин В.Е., Егорушкин В.Е., Савушкин Е.В., Хон Ю.А. Изв. вузов. Физика, \it 1, 9 (1987)
- Еремин Е.Н. Основы химической кинетики. М. (1976)
- Журков С.Н. ФТТ 25, 10, 3119 (1983)
- Регель В.Р., Слуцкер А.И., Томашевский Э.Е. Кинетическая теория прочности твердых тел. М. (1974)
- Регель В.Р., Акчурин М.Ш. В сб.: Дефекты в сегнетоэлектриках. Л. (1981)
- Головин Ю.И., Тюрин А.И. ФТТ 37, 5 1562 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.