Вышедшие номера
Массоперенос индия в структуре In-CdTe при наносекундном лазерном облучении
Велещук В.П.1, Байдуллаева А.1, Власенко А.И.1, Гнатюк В.А.1, Даулетмуратов Б.К.1, Левицкий С.Н.1, Ляшенко О.В.2, Aoki T.3
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
3Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Japan
Email: vvvit@ukr.net
Поступила в редакцию: 8 июля 2009 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2010 г.

Исследованы и проанализированы особенности массопереноса индия в высокоомных кристаллах CdTe при наносекундном облучении структуры In-CdTe импульсами лазера. Определены коэффициенты массопереноса и оценена средняя скорость перемещения атомов In в CdTe при облучении. Предполагается, что концентрационная диффузия In в CdTe и перенос атомов примеси фронтом лазерно-индуцированной ударной волны не являются доминирующими механизмами массопереноса при динамическом легировании. Наиболее вероятным процессом, обеспечивающим образование инверсного слоя в поверхностной области кристалла CdTe при наносекундном лазерном облучении со стороны пленки In, является перемещение междоузельных атомов In вследствие термофлуктуационных перескоков под действием движущей силы термоупругих напряжений и градиента температуры. Работа выполнена при финансовой поддержке 7-й Рамочной программы ЕС (грант N 218000 "COCAE").