Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 1996, выпуск 5 » Статья стр. 1446
<<<>>>
Электронный парамагнитный резонанс акцепторов бериллия, глубокого бора и скандия в карбиде кремния
Баранов П.Г.1, Мохов Е.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.
PDF версия
Обнаружены и исследованы спектры ЭПР акцепторов бериллия, глубокого бора и скандия в кристаллах 6H-SiC. Форма спектров ЭПР бериллия и их ориентационные зависимости существенно зависят от температуры регистрации и претерпевают изменения в области температур выше 10 и 50 K. В области температур ниже 10 K наблюдались спектры ЭПР трех типов центров с симметрией, близкой к аксиальной, относящихся к двум квазикубическим и гексагональной позициям бериллия в 6H-SiC. При температурах выше 50 K симметрия двух центров бериллия, отнесенных нами к квазикубическим позициям бериллия, ниже аксиальной с осью z, направленной вдоль одной из связей Be-C, не совпадающей с гексагональной осью. Предполагается, что из-за малого по сравнению с кремнием радиуса атом бериллия подобно мелкому бору занимает нецентральное положение в узле кремния, т. е. сдвигается из центра тетраэдра по направлению к центру плоскости трех атомов углерода и удаляется от четвертого атома углерода с набольшей спиновой плотностью. Исследован спектр ЭПР глубокого бора, который имеет симметрию, близкую к аксиальной вдоль c-оси кристалла, и анизотропию g-фактора, примерно на порядок большую по сравнению с мелким бором. В качестве модели глубокого бора с акцепторными свойствами предложена структура BSi-v C, где BSi -бор, замещающий кремний, v C - вакансия углерода. Впервые наблюдались спектры ЭПР комплексных центров алюминия и галлия, качественно подобные спектрам глубокого бора, однако имеющие более сильную анизотропию. Для галлия наблюдалась сверхтонкая структура с расщеплением примерно 40 G. Обнаружены спектры ЭПР акцепторов скандия, найдены параметры спинового гамильтониана.
  1. Vodakov Yu.A., Mokhov E.N. Diffusion and Solubility of Impurities in Silicon Carbide: Silicon Carbide-73. South Carolina Univ. Press. (1974). P. 508--519
  2. Vodakov Yu.A., Mokhov E.N., Ramm M.G., Roenkov A.D. Krist. und Techn. 14, 729 (1979)
  3. Маслаковец Ю.П., Мохов Е.Н., Водаков Ю.А., Ломакина Г.А. ФТТ 10, \it 3, 809 (1968); Водаков Ю.А., Ломакина Г.А., Мохов Е.Н., Одинг В.Г., Радованова Е.И. ФТТ 20, \it 2, 448 (1978)
  4. Thewalt M.L.W., Watkins S.P., Ziemelis U.O., Lightowlers T.C., Henry M.O. Solid State Commun. 44, \it 5, 573 (1982)
  5. Соколов В.И., Макаров В.В., Мохов Е.Н., Ломакина Г.А., Водаков Ю.А. ФТТ 10, \it 10, 3022 (1968)
  6. Мохов Е.Н., Водаков Ю.А., Ломакина Г.А. В кн: Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. Л. (1979). С. 136
  7. Водаков Ю.А., Мохов Е.Н., Одинг В.Г. Неорган. материалы 19, \it 7, 1086 (1983)
  8. Ломакина Г.А. ФТТ 7, 2, 600 (1965)
  9. Woodbury H.H., Ludwig G.W. Phys. Rev. 124, 1083 (1961)
  10. Зубатов А.Г., Зарицкий И.М., Лукин С.Н., Мохов Е.Н., Степанов В.Г. ФТТ 27, \it 2, 322 (1985)
  11. Петренко Т.Л., Тесленко В.В., Мохов Е.Н. ФТП 26, \it 9, 1556 (1992)
  12. Mueller R., Feege M., Greulich-Weber S., Spaeth J.-M. Semicond. Sci. Technol. 8, 1377 (1993)
  13. Kuwabara H., Yamada S. Phys. Stat. Sol. (a) 30, 739 (1975); Ikeda M., Matsunami H., Tanaka T. Phys. Rev. B22, 2842 (1980)
  14. Pensl G., Helbig R. Festkoerperprobleme: Advances in Solid State Physics 30 / Ed. U. Roessler Vieweg Braunschweig (1990). V. 30. P. 133--156
  15. Suttrop W., Pensl G., Laning P. Appl. Phys. A51, 231 (1990)
  16. Ballandovich V.S., Mokhov E.N. Semiconductors 29, 187 (1995)
  17. Романов Н.Г., Ветров В.А., Баранов П.Г., Мохов Е.Н., Одинг В.Г. Письма в ЖТФ 11, \it 19, 1168 (1985)
  18. Baranov P.G., Romanov N.G., Vetrov V.A., Oding V.G. Proc. 20th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors / Ed. E.M. Anastassakis and J.D. Joannopoulos. Singapore. World Scientific (1990). V. 3. P. 1855
  19. Baranov P.G., Romanov N.G. Appl. Magn. Res. 2, 361 (1991)
  20. Baranov P.G., Romanov N.G. Mater. Sci. Forum 83--87, 1207 (1992)
  21. Baranov P.G., Khramtsov V.A., Mokhov E.N. Semicond. Sci. Technol. 9, 1340 (1994)
  22. Baranov P.G., Mokhov E.N. Proc. 6th Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials. Kyoto (1995). To be published
  23. Вахнер Х., Таиров Ю.М. ФТТ 11, 9, 2440 (1969)
  24. Ломакина Г.А., Соколов В.И., Водаков Ю.А. ФТП 16, \it 7, 1244 (1982)
  25. Балландович В.С. ФТП 25, 2, 287 (1991)
  26. Водаков Ю.А., Ломакина Г.А., Мохов Е.Н., Одинг В.Г., Семенов В.В., Соколов В.И. В кн.: Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. Л. (1979). С. 164
  27. Haberstroh C. University of Erlangen-Nurnberg. Ph. D thesis (1993)
  28. Dang Le Si, Lee K.M., Watkins G.D., Choyke W.J. Phys. Rev. Lett. 45, 390 (1980)
  29. Баранов П.Г., Ветров В.А., Романов Н.Г., Соколов В.И. ФТТ 27, \it 11, 3459 (1985)
  30. Schneider J., Maier K. Physica B185, 199 (1993)
  31. Ikeda M., Matsunami H., Tanaka T. J. Lumin. 20, 111 (1979)
  32. Mel'nikov N.I., Baranov P.G., Zhitnikov R.A. Phys. Stat. Sol. (b) 46, K73 (1971)
  33. Баранов П.Г., Вещунов Ю.П., Житников Р.А., Романов Н.Г. Опт. и спектр. 50, \it 3, 479 (1981); Баранов П.Г. ФТТ 25, \it 3, 881 (1983)
  34. Lee K.M., Dang Le Si, Watkins G.D., Choyke W.J. Phys. Rev. B32, 2273 (1985)
  35. Вайнер В.С., Ильин В.А., Карачинов В.А., Таиров Ю.М. ФТТ 28, \it 2, 363 (1986)
  36. Maier K., Schneider J., Wilkening W., Leibenzeder S., Stein R. Mater. Sci. Eng. B11, 27 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme